據了解，今年1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達成最終收購協(xié)議，瑞薩電子將以約3.39億美元（折合人民幣24.6億元）的價格收購Transphorm。

source：拍信網

資料顯示，Transphorm是一家全球領先的GaN功率半導體供應商，專注于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的GaN半導體功率器件。該公司在GaN領域擁有豐富的技術積累和創(chuàng)新能力，其產品廣泛應用于多個市場領域，包括基礎設施和IT、消費和計算、泛工業(yè)領域、汽車以及5G等。

瑞薩電子此前表示，收購Transphorm將為瑞薩帶來GaN的內部技術，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應用的解決方案。

目前，瑞薩電子已成為世界十大半導體芯片供應商之一。Transphorm被瑞薩電子收購后，借助瑞薩全球化布局、廣泛的解決方案以及客戶資源，有望推出更多契合市場和用戶需求的GaN產品，進而更好地拓展業(yè)務。

據悉，在GaN功率半導體領域，此次收購事件是繼2023年3月英飛凌斥資8.3億美元（折合人民幣約60.3億元）收購GaN Systems之后的又一項重要并購案。（集邦化合物半導體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩款新的器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。

值得注意的是，它們還可提供更多創(chuàng)新功能，包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應OCP補償和自適應綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設計方案，更快地設計出高質量的電源產品。

source：transphorm

偉詮電子市場推廣副總裁羅汶光表示：“基于Transphorm SuperGaN平臺并采用整體封裝解決方案，可以為從30W低功率USB-C PD電源適配器到功率接近200W的充電器在內的各種裝置提供更易設計的高性能電源?！?/p>

Transphorm全球銷售及FAE副總裁Tushar Dhayagude表示：“從適配器和充電器制造商的需求考慮，SiP可以成為重要的器件選項。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉換效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，從而在最短的時間內可設計出產品?！?/p>

據了解，自2023年以來，偉詮電子和Transphom已經聯(lián)合推出了三款GaN封裝器件。Transphorm為偉詮電子在GaN快充的長期合作伙伴，雙方在GaN系統(tǒng)級封裝布局完整。

為布局電動車、數(shù)據中心、AI及再生能源等成長性市場，強化在GaN產品線的布局，日本IDM大廠瑞薩于今年1月宣布收購Transphorm。據經濟日報報道，隨著Transphorm被瑞薩收購，偉詮電子有望打入瑞薩供應鏈。

報道指出，日本供應鏈由于相對其他市場較難攻入，因此后續(xù)偉詮電子若能與瑞薩展開合作，將有助于偉詮電子拓展日本市場，甚至有機會展開車用、服務器及其他領域的新合作。

前不久，偉詮電子公布3月合并營收達新臺幣2.30億元（折合人民幣約0.51億元）、同比增長3.65％；第一季度累計營收新臺幣6.65億元（折合人民幣約1.48億元），同比增長18.56%。（集邦化合物半導體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

source：瑞薩電子

瑞薩電子表示，此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應用的解決方案。

資料顯示，Transphorm是美國一家GaN功率器件生產商，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的GaN半導體功率器件。在車用領域，Transphorm的GaN產品在業(yè)內最早通過車規(guī)級認證，擁有豐富的產品系列。

Transphorm此前在2023年第3季財報會議上便表示有整并或出售計劃，公司在2022年全球GaN功率器件廠商營收排名第6。瑞薩電子則在這兩年開始大規(guī)模投資寬禁帶半導體，SiC方面已經和Wolfspeed簽訂了長期的材料供應協(xié)議，并計劃在2025年開始量產SiC功率半導體，GaN方面此前曾與GaN Systems聯(lián)手開發(fā)電動車DC-DC轉換器。

近年來，GaN技術在混合型和全電動汽車、消費電子產品、智能手機以及其他產品的制造中得到廣泛應用，發(fā)展?jié)摿^大。為迎合不斷增長的市場需求，Transphorm近期頻頻推出各種GaN產品。

2023年11月，Transphorm宣布推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備市場上主流的代工e-mode氮化鎵缺乏的高壓動態(tài)（開關）導通電阻可靠性。

同在11月，Transphorm和Allegro MicroSystems宣布合作，聯(lián)合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔離柵極驅動器，借此擴展GaN電源系統(tǒng)設計在高功率應用范圍。

11月底，Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。該新產品TP65H070G4RS晶體管的導通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個采用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。

目前，瑞薩電子已成為世界十大半導體芯片供應商之一，被瑞薩電子收購后，借助瑞薩全球化布局、廣泛的解決方案以及客戶資源，Transphorm有望推出更多契合市場和用戶需求的GaN產品，進而更好地拓展業(yè)務。

同時，Transphorm的GaN晶圓來源于同在日本會津的AFSW工廠，該晶圓廠是Transphorm與富士通半導體在2013年合資建設的子公司，是全球首屈一指的高質量、可靠的高壓 GaN 功率半導體晶圓制造工廠。2021年，Transphorm聯(lián)合JCP Capital完成了對AFSW晶圓廠的100%股權收購。因此，這也是助力此次收購案的另一大重要原因。

值得一提的是，2023年3月，英飛凌宣布擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN Systems。GaN Systems是全球GaN主力軍之一，尤其是在車用GaN領域，該公司屬于先行者。該事件交易金額約為瑞薩電子收購Transphorm的2.4倍，也曾在業(yè)內引發(fā)廣泛關注。（集邦化合物半導體Zac、Matt整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。

NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝選擇。此次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應用對高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高級總監(jiān)兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機希望這兩款首發(fā)產品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動市場涌現(xiàn)更多功率器件供應商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個參數(shù)性能均超越同類產品，例如極高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發(fā)展?！?/p>

來源：安世半導體

Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件

近日，Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。

source：Transphorm

新產品TP65H070G4RS晶體管的導通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個采用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。

針對不適合使用傳統(tǒng)底部散熱型表貼器件的系統(tǒng)，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢。

TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 高性能 650V 常閉型 d-mode GaN平臺，該平臺具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復電荷和動態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、SiC和其他GaN產品。SuperGaN 平臺的優(yōu)勢與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統(tǒng)成本更低的電源系統(tǒng)客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

來源：Transphorm

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET

11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲充等領域有廣泛需要，現(xiàn)已通過多家知名客戶評估測試，逐步批量交付應用。

IV2Q171R0D7Z是瞻芯電子的第二代SiC MOSFET中1700V平臺的產品，驅動電壓(Vgs)為15~18V，室溫下導通電流為6.3A。該產品采用車規(guī)級TO263-7貼片封裝，對比插件封裝，體積更小，阻抗更低，安裝更簡便，且有開爾文柵極引腳。因此該產品特別適合高電壓、小電流、低損耗的應用場景。

來源：瞻芯電子

平創(chuàng)半導體推出1200V/1700V PC62封裝SiC模塊

11月28日，平創(chuàng)半導體推出了應用于新能源變流器的PC62封裝SiC模塊，涵蓋1700V/1200V系列產品。

source:平創(chuàng)半導體

據介紹，PC62封裝SiC MOSFET半橋模塊采用平創(chuàng)半導體自研碳化硅芯片，模塊在VGS（th）、RDS（on）漂移和柵氧可靠性方面得到了明顯改善。此外，芯片對稱結構布局、Clip互連工藝大幅提升了模塊載流能力，降低了寄生電感。

據悉，平創(chuàng)半導體是一家專注于功率半導體器件及創(chuàng)新解決方案的國家高新技術企業(yè)，公司主要產品為650V-3300V SiC二極管和1200V/1700V SiC MOSFET器件與模塊、硅基光伏二極管與模塊 (TO裝、R6封裝、定制化光伏模塊)，小信號器件、中低壓MOS、高性能工業(yè)控制及車規(guī)級功率器件與模塊(650V/1200V/1700VIGBT、FRD系列)，相關產品與技術已被廣泛應用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲能等領域，服務客戶包含華潤微電子、晶科能源、國家電網、松下電器、隆鑫通用等明星企業(yè)。

來源：平創(chuàng)半導體

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

據介紹，Transphorm的SuperGaN FET設計可用于在各種拓撲結構中，并可提供多種樣式的封裝，能夠支持寬功率范圍，同時滿足不同的終端應用要求。SuperGaN FET用于包括更高功率的系統(tǒng)在內的多種商業(yè)產品，事實證明它們可以顯著提高可靠性、功率密度和效率。

而Allegro的自供電、單通道隔離式柵極驅動IC針對在多種應用和電路中驅動GaN FET進行了優(yōu)化。與同類柵極驅動器相比，AHV85110的驅動器效率高出了50%。與市場上其他解決方案相比，其噪聲和共模電容分別降為1/10和1/15，并且這種特定的解決方案大大簡化了系統(tǒng)設計。

圖片來源：拍信網正版圖庫

“Allegro的AHV85110高壓柵極驅動器擁有高度緊湊的結構且高效的功率，從而實現(xiàn)減少約30%占地面積，同時減少外部元件的數(shù)量和對Transphorm電源設備的偏置電源要求?！盩ransphorm全球銷售和FAE副總裁Tushar Dhayagude說道，“在競爭技術方面，SuperGaN具有最可靠和卓越的動態(tài)開關性能，生成一個更高效、更高能的解決方案，并應用于服務器、數(shù)據中心、新能源電動汽車等更高功率密度的場景?！?/p>

Allegro MicroSystems副總裁兼高壓電源總經理Vijay Mangtani表示：“我們很高興與Transphorm開展合作，進一步支持 Allegro幫助客戶優(yōu)化有關GaN的系統(tǒng)開發(fā)和設計?！薄拔覀兤诖袡C會將我們的高壓隔離柵極驅動器 AHV85110與Transphorm的SuperGaN FET相結合，以更小的外觀尺寸擁有更高的功率密度、更高的效率和更高的功率輸出，并為我們和 Transphorm的客戶帶來收益。”（化合物半導體市場Morty編譯）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

source:Transphorm

據介紹，這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應用，這樣的電力系統(tǒng)常用于高性能領域，如計算（人工智能、服務器、電信、數(shù)據中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業(yè)市場。值得關注的是，該新型功率器件是目前快速發(fā)展的人工智能(AI)系統(tǒng)最佳解決方案，AI系統(tǒng)依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統(tǒng)CPU的10到15倍。
該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩(wěn)健，且已獲得JEDEC資格認證。由于常閉型d-mode平臺是將GaN HEMT與低電壓硅管配對，因此，SuperGaN FET 可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅動，應用于各種軟/硬開關的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，同時減小系統(tǒng)尺寸、重量和總成本。

source:Transphorm

目前，各種高性能領域的主流客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統(tǒng)提供電力支持，應用領域包括數(shù)據中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。在核心SuperGaN芯片通過汽車行業(yè)(AEC-Q101)標準認證后，新型TOLL封裝器件也能夠用于電動汽車的DC-DC轉換器和車載充電器應用。
根據TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。

許多廠商早已將目光轉向工業(yè)市場，其中數(shù)據中心為關鍵場景。ChatGPT已掀起AI云端服務器建置浪潮，GaN將助力數(shù)據中心降低運營成本，并提高服務器運行效率。

與此同時，汽車市場亦不容忽視，OEM與Tier1早已察覺GaN潛力所在，預計至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠到2030年，OEM或考慮將該技術移入到牽引逆變器。
對于市場競爭格局，以去年GaN功率元件業(yè)務營收來看，市場基本由Power integrations、Navitas、英諾賽科、EPC、GaN Systems、Transphorm所占據。近期，Infineon完成了對GaN Systems的收購，這對目前市場競爭格局有何影響，還得看后續(xù)企業(yè)動作。

化合物半導體市場Rick整理

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。