2025年11月27日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)主辦的“MTS 2026存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)”在深圳舉辦。會(huì)上，TrendForce集邦咨詢(xún)發(fā)布了“2026十大科技市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)”：

1、AI芯片逐鹿戰(zhàn)升級(jí)，液冷散熱大規(guī)模滲透AI數(shù)據(jù)中心

2026年受惠于北美大型CSPs提高資本支出，以及各國(guó)主權(quán)云興起，對(duì)AI數(shù)據(jù)中心建置需求旺盛，預(yù)估全球AI Server出貨年增將逾20%。AI市場(chǎng)霸主NVIDIA（英偉達(dá)）將面臨更高強(qiáng)度競(jìng)爭(zhēng)，首先，AMD（超威）將效法NVIDIA GB/VR機(jī)柜方案，推出MI400整柜式產(chǎn)品，主攻CSPs客戶(hù)；其次，北美CSPs自研ASIC力道持續(xù)增強(qiáng)；最后，受?chē)?guó)際形勢(shì)影響，ByteDance（字節(jié)跳動(dòng)）、Baidu（百度）、Alibaba（阿里巴巴）、Tencent（騰訊）自研ASIC，以及Huawei（華為）、Cambricon（寒武紀(jì)）等強(qiáng)化AI芯片自主研發(fā)，將AI市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)推向白熱化。

隨著AI芯片算力提升，單芯片熱設(shè)計(jì)功耗(TDP)將從NVIDIA H100、H200的700W，上升至B200、B300的1,000W以上或更高，Server機(jī)柜須以液冷散熱系統(tǒng)對(duì)應(yīng)高密度熱通量需求，推升2026年AI芯片液冷滲透率達(dá)47%。Microsoft（微軟）亦提出新一代芯片封裝層級(jí)的微流體冷卻技術(shù)。整體而言，短中期市場(chǎng)仍以水冷板液冷為主，CDU架構(gòu)將自L2A (Liquid-to-Air)轉(zhuǎn)向L2L (Liquid-to-Liquid)設(shè)計(jì)，長(zhǎng)期則朝更精細(xì)化的芯片級(jí)散熱演進(jìn)。

2、突破帶寬限制、實(shí)現(xiàn)高速傳輸，HBM與光通訊建構(gòu)智能運(yùn)算新體系

AI運(yùn)算從訓(xùn)練到推理的數(shù)據(jù)量與存儲(chǔ)器帶寬需求呈爆炸性成長(zhǎng)，導(dǎo)致傳輸速度與能耗瓶頸浮上臺(tái)面。為解決AI運(yùn)算受存儲(chǔ)器帶寬與數(shù)據(jù)傳輸速率限制的問(wèn)題，HBM與光通訊技術(shù)逐漸成為次世代AI架構(gòu)的核心突破口。

目前HBM通過(guò)3D堆棧與TSV技術(shù)，有效縮短處理器與存儲(chǔ)器之間的距離，并在即將量產(chǎn)的HBM4中，導(dǎo)入更高通道密度與更寬I/O帶寬，以支撐AI GPU與加速器的超大規(guī)模運(yùn)算。然而，當(dāng)模型參數(shù)突破兆級(jí)、GPU集群規(guī)模成倍數(shù)擴(kuò)張時(shí)，存儲(chǔ)器的傳輸瓶頸又重新被凸顯出來(lái)。目前各家存儲(chǔ)器廠商通過(guò)HBM堆棧結(jié)構(gòu)優(yōu)化，封裝與接口創(chuàng)新，并且與邏輯芯片協(xié)同設(shè)計(jì)，藉由各方面的努力來(lái)提升了AI芯片的本地帶寬。

解決了存儲(chǔ)器的傳輸瓶頸之后，跨芯片、跨模組間的數(shù)據(jù)傳輸仍成為限制系統(tǒng)效能的新瓶頸，為突破此限制，光電整合與CPO（Co-Packaged Optics）技術(shù)逐步成為主流GPU廠商與云端供應(yīng)商的研發(fā)重點(diǎn)?，F(xiàn)階段800G/1.6T pluggable光模組已啟動(dòng)大量生產(chǎn)，而2026年起預(yù)期將有更高帶寬的SiPh/CPO平臺(tái)導(dǎo)入AI交換機(jī)（Switch）之內(nèi)。借由新型的光通訊技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高帶寬、低功耗的數(shù)據(jù)互連，并優(yōu)化系統(tǒng)整體帶寬密度與能源效率。

綜觀趨勢(shì)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正邁向以「帶寬效率」為核心競(jìng)爭(zhēng)力。而處理跨芯片、跨模塊間的新型光通訊技術(shù)，也是突破電性接口在長(zhǎng)距離與高密度數(shù)據(jù)傳輸上的局限的最佳方案。因此高速傳輸技術(shù)將成為AI基礎(chǔ)架構(gòu)演進(jìn)的關(guān)鍵方向。

3、NAND Flash供應(yīng)商強(qiáng)化AI方案，加速推理工作、降低儲(chǔ)存成本

AI 訓(xùn)練與推理工作需要高速存取具有不可預(yù)測(cè)I/O模式的龐大數(shù)據(jù)集，與現(xiàn)有技術(shù)間產(chǎn)生效能差距。為此，NAND Flash供應(yīng)商加速推進(jìn)專(zhuān)門(mén)的解決方案，包含兩項(xiàng)關(guān)鍵產(chǎn)品：儲(chǔ)存級(jí)存儲(chǔ)器(SCM) SSD/KV Cache SSD/HBF技術(shù)，定位介于DRAM與傳統(tǒng)NAND間，提供超低延遲與高帶寬特性，為加速實(shí)時(shí)AI推理工作負(fù)載的理想選擇。

另一項(xiàng)是Nearline QLC SSD，QLC技術(shù)正以前所未有的速度被應(yīng)用于AI的溫/冷數(shù)據(jù)儲(chǔ)存層，例如模型檢查點(diǎn)與數(shù)據(jù)集歸檔。QLC的每晶粒儲(chǔ)存容量較TLC將高出33%，大幅降低儲(chǔ)存巨量AI數(shù)據(jù)集的單位成本。預(yù)估至2026年，QLC SSD于Enterprise SSD的市場(chǎng)滲透率將達(dá)30%。

4、儲(chǔ)能系統(tǒng)躍升AI數(shù)據(jù)中心能量核心，需求將迎爆發(fā)式成長(zhǎng)

AI數(shù)據(jù)中心朝向超大規(guī)模集群化發(fā)展，其負(fù)載波動(dòng)大，嚴(yán)格要求電力穩(wěn)定度，促使儲(chǔ)能系統(tǒng)由「應(yīng)急備電」轉(zhuǎn)為「AI數(shù)據(jù)中心的能量核心」。預(yù)估未來(lái)五年內(nèi)，AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能除了現(xiàn)有的短時(shí)UPS備電和電能質(zhì)量改善，2至4小時(shí)的中長(zhǎng)時(shí)儲(chǔ)能系統(tǒng)占比將迅速提升，以同時(shí)滿(mǎn)足備電、套利和電網(wǎng)服務(wù)需求。部署方式也將從數(shù)據(jù)中心級(jí)的集中式BESS (battery energy storage system)，逐步向機(jī)柜級(jí)或叢集級(jí)的分散式BESS滲透，如電池備用單元，以提供更快的瞬時(shí)響應(yīng)。

預(yù)期北美將成為全球最大AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能市場(chǎng)，由超大規(guī)模云端廠商主導(dǎo)。中國(guó)「東數(shù)西算」策略將推動(dòng)數(shù)據(jù)中心向綠電豐富的西部遷移，AI數(shù)據(jù)中心+儲(chǔ)能將成為西部大型基地的標(biāo)準(zhǔn)配備。預(yù)期全球AI數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)能新增容量將從2024年的15.7GWh，激增至2030年的216.8GWh，復(fù)合年平均成長(zhǎng)率達(dá)46.1%。

5、AI數(shù)據(jù)中心邁向800V HVDC架構(gòu)，推升第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)需求

數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷徹底的電力基礎(chǔ)設(shè)施變革，服務(wù)器機(jī)柜功率從千瓦級(jí)(kW)迅速攀升至兆瓦級(jí)(MW)，供電模式正轉(zhuǎn)向800V HVDC(高壓直流)架構(gòu)，以最大限度地提高效率和可靠性，大幅減少銅纜用量，并支持更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，第三代半導(dǎo)體SiC/GaN正是實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵，多家半導(dǎo)體供應(yīng)商已宣布加入NVIDIA的800V HVDC計(jì)劃。

SiC主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的前端、中端環(huán)節(jié)，負(fù)責(zé)處理最高電壓和最大功率的轉(zhuǎn)換操作。盡管目前SiC功率半導(dǎo)體在最高電壓額定值方面仍落后于傳統(tǒng)Si，但其具備卓越的熱性能和開(kāi)關(guān)特性，對(duì)于下一代的固態(tài)變壓器(SST)技術(shù)至關(guān)重要。

GaN則憑借高頻率、高效能優(yōu)勢(shì)，在供電鏈路的中端和末端發(fā)揮重要作用，追求極致的功率密度和動(dòng)態(tài)響應(yīng)。預(yù)估第三代半導(dǎo)體SiC/GaN在數(shù)據(jù)中心供電中的滲透率在2026年將上升至17%，至2030年有望突破30%。

6、2nm GAAFET革新，2.5D/3D封裝突破

隨著2nm進(jìn)入量產(chǎn)，在先進(jìn)制程商業(yè)競(jìng)逐中，形成了向內(nèi)追求更高晶體管密度、向外追求更大封裝尺寸的趨勢(shì)，同時(shí)強(qiáng)調(diào)異質(zhì)整合 (Heterogeneous Integration)能力，通過(guò)不同功能的多芯片堆棧與不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的結(jié)合，滿(mǎn)足高效能運(yùn)算與人工智能應(yīng)用需求。

在追求更高晶體管密度的部分，半導(dǎo)體晶圓制造正式由FinFET轉(zhuǎn)進(jìn)GAAFET，通過(guò)Gate-Oxide完整包覆硅通道，在追逐高強(qiáng)度算力同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高效的電流控制。向外部分，2.5D與3D封裝技術(shù)提供多重芯片堆棧的高密度封裝解決方案，使芯片間互連更快速、功耗更低，為下一代數(shù)據(jù)中心及高性能運(yùn)算領(lǐng)域帶來(lái)突破。

隨著各家2nm GAAFET進(jìn)入量產(chǎn)，TSMC（臺(tái)積電）、Intel（英特爾）與Samsung（三星）則分別推出CoWoS/SoIC、EMIB/FOVEROS、I-Cube/X-Cube等2.5D/3D封裝技術(shù)，提供前后段整合代工服務(wù)。如何在產(chǎn)能利用率、可靠性、成本與良率間取得平衡與商業(yè)優(yōu)勢(shì)，將是各大晶圓代工與封裝廠的核心挑戰(zhàn)。

7、2026年人形機(jī)器人出貨成長(zhǎng)逾700%，聚焦AI自適應(yīng)與場(chǎng)景應(yīng)用性

2026年將是人形機(jī)器人邁向商用化的關(guān)鍵一年，全球出貨量預(yù)估年增逾七倍、突破5萬(wàn)臺(tái)，市場(chǎng)動(dòng)能聚焦于兩大主軸：AI自適應(yīng)（AI Adaptivity）技術(shù)與場(chǎng)景應(yīng)用導(dǎo)向。AI自適應(yīng)技術(shù)結(jié)合高效AI芯片、感測(cè)融合與大型語(yǔ)言模型（LLM）的進(jìn)化，使機(jī)器人能在非結(jié)構(gòu)化環(huán)境中實(shí)時(shí)學(xué)習(xí)與動(dòng)態(tài)決策，展現(xiàn)「謀定而后動(dòng)」的行為能力。

于此背景下，2026年的人形機(jī)器人新品將不再以規(guī)格或靈活度為唯一賣(mài)點(diǎn)，而是自設(shè)計(jì)階段即鎖定特定場(chǎng)景價(jià)值，從預(yù)期最早切入之制造搬運(yùn)、倉(cāng)儲(chǔ)分揀到檢測(cè)輔助等，皆能支持場(chǎng)域完整任務(wù)。2026年將是人形機(jī)器人正式進(jìn)入以AI為驅(qū)動(dòng)、以應(yīng)用為核心之產(chǎn)業(yè)新階段。

8、筆電顯示高階化提速，折疊機(jī)主流化進(jìn)程迎關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)

OLED顯示迎來(lái)跨世代的轉(zhuǎn)折時(shí)刻。中、韓面板廠的高世代（8.6代）AMOLED產(chǎn)線持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，隨著成本結(jié)構(gòu)與良率持續(xù)改善，OLED顯示技術(shù)正加速覆蓋從小到大的全尺寸產(chǎn)品，同步帶動(dòng)相關(guān)供應(yīng)鏈如驅(qū)動(dòng)IC、TCON、觸控模塊與散熱設(shè)計(jì)等高階零部件平均單價(jià)（ASP）與供應(yīng)商議價(jià)能力。

OLED以自發(fā)光、高對(duì)比、輕薄化與可變刷新率等特性，突破LCD在厚度與能耗的物理瓶頸，符合Apple（蘋(píng)果）對(duì)影像精度與能源效率的雙重要求。Apple預(yù)計(jì)2026年正式將OLED面板導(dǎo)入MacBook Pro，將帶動(dòng)高階筆電顯示規(guī)格由mini-LED轉(zhuǎn)向OLED，預(yù)估2025年OLED筆電滲透率可望來(lái)到5%，2026年之后，在Apple帶動(dòng)下，2027–2028年可望提升至9–12%。

另外，隨著Apple有機(jī)會(huì)于2026下半年至2027年間正式進(jìn)入折疊手機(jī)市場(chǎng)，將以軟硬整合、品牌信任與供應(yīng)鏈協(xié)同優(yōu)勢(shì)重新定義折疊手機(jī)價(jià)值，推動(dòng)市場(chǎng)焦點(diǎn)由「外觀炫技」轉(zhuǎn)向「生產(chǎn)力與體驗(yàn)深化」，預(yù)估將帶動(dòng)全球折疊手機(jī)出貨量于2027年突破3,000萬(wàn)支。目前折疊手機(jī)仍面臨邁向主流的最后障礙—鉸鏈可靠度、柔性面板封裝、良率與成本控制。Apple對(duì)產(chǎn)品驗(yàn)證與質(zhì)量的謹(jǐn)慎，反映其對(duì)進(jìn)場(chǎng)時(shí)機(jī)與使用體驗(yàn)的重視，也凸顯折疊手機(jī)要真正跨入成熟期，仍需時(shí)間與實(shí)力跨越鴻溝。

9、Meta驅(qū)動(dòng)全球近眼顯示躍進(jìn)，LEDoS技術(shù)蓄積成長(zhǎng)能量

伴隨AI應(yīng)用深化，Meta推出具顯示功能的Meta Ray-Ban Display AR眼鏡，鎖定「信息提供」應(yīng)用，讓AI更貼近日常、重塑用戶(hù)使用行為，通過(guò)第一視角的數(shù)據(jù)搜集與反饋，強(qiáng)化AI與用戶(hù)的雙向互動(dòng)體驗(yàn)。顯示技術(shù)采用在全彩化與成熟度表現(xiàn)穩(wěn)健的LCoS，既為尚未完全成熟的LEDoS 爭(zhēng)取技術(shù)發(fā)展時(shí)間，也藉由良好的用戶(hù)體驗(yàn)累積市場(chǎng)聲量。

隨著市場(chǎng)預(yù)期與Meta迭代產(chǎn)品規(guī)劃的推進(jìn)，趨勢(shì)正指向具備更高亮度、對(duì)比度的LEDoS 技術(shù)，以拓展應(yīng)用場(chǎng)景，加上Apple、Google（谷歌）、RayNeo（雷鳥(niǎo)創(chuàng)新）、INMO（影目科技）、Rokid（樂(lè)奇）、Vuzix等廠商持續(xù)布局，成本有望加速下探至大眾預(yù)期的甜蜜點(diǎn)，有利于LEDoS發(fā)展。預(yù)估2027-2028年將出現(xiàn)更成熟的全彩LEDoS解決方案，Meta也預(yù)計(jì)推出新一代搭載LEDoS的AR眼鏡。

10、2026年輔助駕駛滲透率提升，Robotaxi 開(kāi)啟全球多區(qū)域擴(kuò)張

預(yù)估2026年L2(含)以上輔助駕駛的滲透率將逾40%，智能化將接續(xù)電動(dòng)車(chē)成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)動(dòng)力。L2輔助駕駛技術(shù)已趨成熟，普及關(guān)鍵轉(zhuǎn)向成本，有助降低系統(tǒng)總成本的艙駕一體單晶片與控制器將于2026年進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，初期主攻中國(guó)中階汽車(chē)市場(chǎng)。傳統(tǒng)車(chē)廠同時(shí)積極推動(dòng)燃油車(chē)智能化轉(zhuǎn)型，也是輔助駕駛?cè)娉蔀檐?chē)輛標(biāo)配的驅(qū)動(dòng)力。

另一方面，以L4級(jí)為目標(biāo)的Robotaxi正迎來(lái)全球性的擴(kuò)張浪潮。除了各地法規(guī)松綁，車(chē)隊(duì)平臺(tái)商、服務(wù)商對(duì)Robotaxi的采用態(tài)度轉(zhuǎn)為積極，以及開(kāi)發(fā)商探索端到端(E2E)、VLA(Vision Language Action)等泛化性更強(qiáng)的AI模型，皆有助Robotaxi市場(chǎng)擴(kuò)大。預(yù)計(jì)至2026年，Robotaxi將加速覆蓋歐洲、中東、日本、澳洲等市場(chǎng)，不再僅限于中國(guó)、美國(guó)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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