Micro LED被視為取代TFT-LCD及OLED display的次世代顯示器技術。建立在LED高效能的基礎上,理想的Micro LED顯示器具有高像素、高對比、自發(fā)光、低能耗及壽命長等各種優(yōu)勢,備受看好。
然而,當前的Micro LED仍面臨許多困難需要克服,其中最困擾研究人員與制造商的便是巨量轉移制程(Mass transfer process),如何將紅、藍、綠三種顏色的LED芯片快速且精確地接合至面板的驅(qū)動電路上,以及克服芯片材料特性不同的挑戰(zhàn),特別是紅光Micro-LED還有易碎等問題,因此巨量轉移技術至今仍沒有能達到量產(chǎn)的解決方案被提出。
中國臺灣交通大學的郭浩中教授等人,與美國新創(chuàng)公司Saphlux、耶魯大學、廈門大學的研究人員合作,采用半極化(Semipolar)的Micro LED結合量子點熒光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技術,制作出高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列,相關研究成果已被Photonics Research期刊接受,并即將發(fā)表。
圖片來源: Chen et al. 2020
研究團隊主持人郭浩中表示,為了減少巨量轉移的次數(shù),該團隊長期專注在量子點熒光粉色轉換技術的應用,只需要一種顏色的LED芯片(藍光或近紫外光)搭配不同顏色的量子點熒光粉,即可實現(xiàn)全彩的功能,且量子點熒光粉的演色性相當突出。
郭浩中也提到,除了巨量轉移制程的挑戰(zhàn),LED芯片本身也面臨不少問題。譬如藍綠光LED芯片會隨著操作電流改變,產(chǎn)生發(fā)光顏色變化的現(xiàn)象,意味著顯示器為了配合環(huán)境光源改變亮度時,就有可能產(chǎn)生顏色變化,不利于顯示器的使用,因此必須解決LED芯片色偏移的問題。
該團隊采用半極化磊晶技術制作LED芯片,藉由半極化材料的特性,大幅減少LED光源本身的發(fā)光波長偏移(Wavelength-shift)現(xiàn)象,進而克服色偏移的問題;在這個研究中的第二個突破就是采用量子點熒光粉光阻技術,該技術透過特殊的方法,將量子點熒光粉與光阻液混合,搭配傳統(tǒng)的微影制程,達到大面積制作彩色像素需求,取代分別轉移紅、藍、綠的LED芯片的方法,大幅降低轉移制程的困難度。
最后,結合上述兩種技術,研究團隊成功實現(xiàn)了高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列,同時具有大面積制造的可能性,為Micro LED顯示器技術的發(fā)展注入一股新血。
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