文章分類： 企業(yè)

EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:19 |
| 分類: 產業(yè) , 企業(yè) , 氮化鎵GaN
3月19日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）宣布，其在與美國宜普公司（EfficientpowerConversionCorporation，EPC）發(fā)起的專利侵權案中取得決定性勝利。 3月18日,美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利(US’294號專...  [詳內文]

杭州第三代半導體相關項目迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項目已完成40%的施工進度。計劃今年年底，園區(qū)全部結頂竣工，爭取明年5月投入使用。 該產業(yè)園于2024年5月開工，項目計劃打造臨安首個集芯片設計研發(fā)、先進封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方...  [詳內文]

180萬片，斯達半導重慶車規(guī)級功率模塊項目封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:01 | | 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據西部重慶科學城最新消息，3月17日，斯達半導體重慶車規(guī)級模塊生產基地正式封頂，標志著國內首條年產能達180萬片的車規(guī)級IGBT與碳化硅（SiC）模塊產線進入投產倒計時。 公開資料顯示，這一項目由長安汽車旗下深藍汽車與斯達半導體聯合打造。斯達半導體與深藍汽車的合作始于2023年，...  [詳內文]

這家破產的GaN工廠，被全球三大公司競購

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 16:59 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，一場圍繞氮化鎵（GaN）技術的競購戰(zhàn)正在比利時奧德納爾德市悄然上演。曾被譽為歐洲GaN技術先驅的BelGaN工廠，因資金鏈斷裂于2024年8月申請破產，其440名員工的命運與價值1.3億歐元的資產標的，成為全球半導體產業(yè)鏈爭奪的焦點。 從輝煌到隕落，BelGaN花落誰家 B...  [詳內文]

芯粵能半導體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:02 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據長三角國際半導體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經過近兩年時間的技術研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產權的溝槽MOSFET結構，可顯著降低比導通電阻、提高電流密度，并在確保產品可靠性的同時，...  [詳內文]

聚焦三代半等領域，江蘇首只高?？萍汲晒D化基金完成注冊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:00 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據江蘇金融湃消息，近日江蘇首只高校科技成果轉化基金——南京高?？萍汲晒D化天使基金完成工商注冊。這只總規(guī)模5億元的基金，將重點投向第三代半導體、前沿新材料等戰(zhàn)略領域，為高?？蒲谐晒D化注入”耐心資本”。 據悉，該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新...  [詳內文]

國家隊再投一家化合物半導體大廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 8:56 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息顯示，3月13日，國家集成電路產業(yè)投資基金二期（以下簡稱“大基金二期”）投資入股了昂坤視覺（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半導體截圖 此前，昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術、晶盛機電等知名產業(yè)方，金浦投資、招商致遠、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清...  [詳內文]

歐洲九國聯盟，第三代半導體劃重點

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:32 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協議，組建“半導體聯盟”（Semicon Coalition），旨在通過協同合作提升芯片自給能力，并強化自身在全球半導體版圖的地位。 上述聯盟主攻技術主權、供應鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點...  [詳內文]

納微半導體、CGD兩家公司氮化鎵新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:28 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導體產業(yè)中，氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關速度，在高頻應用領域中展現出優(yōu)勢，吸引業(yè)界關注。近期，市場傳來納微半導體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài)，涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領域。 01 納微半導體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關 3月12日，納微半導體發(fā)布全球首款...  [詳內文]

天域半導體等企業(yè)參加，碳化硅（CVD）領域團體標準啟動會召開

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 13 日 17:53 |
| 分類: 企業(yè)
近日，由中國國際經濟技術合作促進會標準化工作委員會（以下簡稱“國促會標委會”）聯合通標中研標準化技術研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術規(guī)范化學氣相沉積法（CVD）》團體標準啟動會順利召開。 包括廣東天域半導體股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、藍河科技（紹興）有限公司、深...  [詳內文]