據報道，SiC材料公司Arche在韓國京畿道公司總部舉行開幕式活動，宣布SiC外延片正式量產。目前，Arche正準備生產電動汽車用650V、1200V SiC材料，目標是開發(fā)出3000V、6000V以及可用于航空航天、國防領域的12000V SiC材料。
資料顯示，Arche成立于2014年，專注于研發(fā)生產SiC材料，供應半導體設備廠商。據悉，Arche采用愛思強（Aixtron SE）生產的G4 MOCVD蒸鍍設備，還引進了其新的G5蒸鍍設備，預計3月份完成建設。在完成對相關設備的爬坡及良率穩(wěn)定工作后，預計從今年第四季度開始正式量產相關產品。
眾所周知，SiC設備、襯底及外延材料是SiC產業(yè)鏈前端非常關鍵、且技術門檻較高的環(huán)節(jié)，目前仍有許多技術難題需要攻克，是各國第三代半導體產業(yè)重點攻關的方向。
本次Arche成功量產SiC外延片，意味著韓國第三代半導體產業(yè)的發(fā)展又向前邁出了一步。此外，在SiC關鍵設備領域，韓國去年也取得了重要進展：韓國ESTech成功實現SiC晶錠生長設備的國產化。
圖片來源：拍信網正版圖庫
在GaN領域，韓國企業(yè)也在不斷發(fā)力GaN功率半導體市場，著眼于8英寸GaN襯底、外延、器件等更高端的領域，旨在搶占GaN在電動汽車等高功率應用市場的商機。例如，東部高科去年計劃在硅基GaN上生產8英寸半導體元件；IVWorks去年收購了法國Saint-Gobain的GaN晶圓業(yè)務，計劃在高功率應用領域供應GaN-on-GaN外延片，對打SiC材料，搶攻電動汽車市場。
企業(yè)之外，韓國政府也持續(xù)加大對第三代半導體領域的投資，近年來推出了不少利好政策，支持韓國第三代半導體產業(yè)的發(fā)展壯大。
去年，為應對SiC、GaN、GaO等迅速增長的全球功率半導體市場，韓國推出了由其國內半導體企業(yè)、大學、研究所等組成的“新一代晶體工程部”，目標是開發(fā)以SiC為基礎的國產功率半導體生態(tài)系統，還將培育與SiC半導體相關的材料、零部件和設備企業(yè)的發(fā)展，成立SiC產業(yè)聯盟。
據悉，韓國SiC產業(yè)聯盟包括LX Semiconductor、SK siltron、Hana Materials、STI等30家功率半導體企業(yè)。其中，LX Semiconductor負責開發(fā)SiC半導體，SK siltron公司負責開發(fā)SiC襯底，Hana Materials和STI將共同開發(fā)SiC半導體零件和設備技術。光云大學、嘉泉大學和韓國國民大學則支援SiC半導體研究開發(fā)基礎設施，由國家納米材料研究所和韓國陶瓷工程技術研究所支援技術。
韓國政府壯大第三代半導體產業(yè)的決心由此可見一斑，從企業(yè)的進展來看，韓國也逐漸在第三代半導體核心環(huán)節(jié)取得突破，逐步縮短與歐美日等國家的距離。接下來，各國之間在第三代半導體領域的角逐也將日趨激烈，全球市場格局未來或將生變。（文：集邦化合物半導體 Jenny整理）
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