2023年底至2024年初，當(dāng)人們歡天喜地迎新春之際，SiC產(chǎn)業(yè)同樣一片火熱，擴(kuò)產(chǎn)、合作、融資、技術(shù)突破、新品發(fā)布等各種好戲輪番上演，共促SiC全產(chǎn)業(yè)鏈蓬勃發(fā)展。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
SiC項(xiàng)目進(jìn)展
1月18日，浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱博藍(lán)特）在實(shí)地考察中，與江蘇鎮(zhèn)江丹陽市延陵鎮(zhèn)就博藍(lán)特第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）襯底項(xiàng)目落地延陵鎮(zhèn)進(jìn)行了深度洽談，博藍(lán)特計(jì)劃在延陵鎮(zhèn)投資10億元建設(shè)年產(chǎn)25萬片的6-8英寸碳化硅襯底項(xiàng)目。
一個(gè)投資10億元、年產(chǎn)數(shù)十萬片SiC襯底的大項(xiàng)目將落地延陵鎮(zhèn)，將為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)發(fā)展注入新的活力，也將為國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
目前業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，SiC襯底處于供不應(yīng)求狀態(tài)，年產(chǎn)數(shù)十萬片SiC襯底產(chǎn)能將在一定程度上緩解相關(guān)產(chǎn)品供需緊張狀態(tài)。也正是因?yàn)镾iC襯底、芯片等產(chǎn)能不足，吸引了大批廠商前赴后繼加入擴(kuò)產(chǎn)行列。
僅從2023年12月初到2024年1月中旬的一個(gè)多月時(shí)間，就有十多個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目迎來新進(jìn)展，或簽約落地、或中期驗(yàn)收、或竣工投產(chǎn)，各大廠商忙的不亦樂乎，這些項(xiàng)目當(dāng)中，不乏投資超過10億甚至數(shù)十億的大手筆。
其中，大江半導(dǎo)體新建SiC項(xiàng)目近日在浙江省發(fā)改委官網(wǎng)公示，總投資達(dá)38億元，項(xiàng)目建成后，具有年產(chǎn)SiC功率模塊240萬個(gè)的產(chǎn)能。較高的投資額和較大的產(chǎn)能，使得該項(xiàng)目在業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。
此外，投資額同為15億元，吉盛微武漢SiC制造基地于12月8日啟用，漢軒車規(guī)級(jí)功率器件制造項(xiàng)目在12月18日開工，前者將致力于推進(jìn)關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，后者則將推動(dòng)車規(guī)級(jí)功率器件國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
值得一提的是，12月28日，天科合達(dá)SiC晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目全面封頂。該項(xiàng)目總投資8.3億元，預(yù)計(jì)2024年6月竣工，全部達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)SiC襯底16萬片。
2023年5月，天科合達(dá)已與英飛凌簽訂了一份長(zhǎng)期供貨協(xié)議，天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸SiC襯底，其供應(yīng)量將占英飛凌未來長(zhǎng)期預(yù)測(cè)需求的兩位數(shù)份額。英飛凌位于馬來西亞的SiC工廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn)，屆時(shí)，天科合達(dá)已竣工的SiC二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目將在一定程度上保障英飛凌工廠的SiC襯底供應(yīng)。
SiC新品動(dòng)態(tài)
擴(kuò)產(chǎn)是為了滿足SiC產(chǎn)業(yè)未來市場(chǎng)需求所進(jìn)行的前瞻性布局，需要時(shí)間去產(chǎn)出碩果，在投資擴(kuò)產(chǎn)的同時(shí)，各類SiC新品層出不窮。
其中，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝SiC MOSFET器件、南瑞半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）都已通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。通過該認(rèn)證，芯塔電子和南瑞半導(dǎo)體躋身國(guó)內(nèi)少數(shù)SiC功率器件產(chǎn)品取得車規(guī)級(jí)認(rèn)證的廠商之列，也意味著相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力再上一個(gè)臺(tái)階。
值得一提的是，日本晶圓設(shè)備制造商DISCO于2023年12月推出新型SiC切割設(shè)備DDS2020，支持切割8英寸SiC材料，可將SiC晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。該晶圓切割設(shè)備采用了新的斷裂機(jī)制，在低負(fù)荷下實(shí)現(xiàn)了對(duì)SiC材料的切割。
SiC技術(shù)突破
技術(shù)和產(chǎn)品相生相伴，產(chǎn)品研發(fā)的進(jìn)程，也是技術(shù)突破的過程。
12月12日，創(chuàng)銳光譜官宣在SiC襯底晶圓位錯(cuò)缺陷的無損光學(xué)檢測(cè)技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，并將同步推出SiC襯底晶圓位錯(cuò)無損檢測(cè)專用設(shè)備。據(jù)悉，該技術(shù)基于瞬態(tài)激發(fā)和散射光譜原理，采用大面積光學(xué)成像，實(shí)現(xiàn)了SiC襯底晶圓位錯(cuò)缺陷的高速、精準(zhǔn)、非接觸式的無損光學(xué)檢測(cè)。結(jié)合AI識(shí)別，可對(duì)襯底晶圓中的BPD、TSD、TED等缺陷實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的識(shí)別和分類。
通用智能則在12月16日將自主研發(fā)的8英寸SiC晶錠剝離產(chǎn)線正式交付客戶。通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過程，成功實(shí)現(xiàn)8英寸SiC晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
據(jù)悉，激光隱形切割是一種先用激光能量切割晶圓的內(nèi)部，再向貼附在背面的膠帶施加外部壓力，使其斷裂，從而分離芯片的方法。當(dāng)向背面的膠帶施加壓力時(shí)，由于膠帶的拉伸，晶圓將會(huì)瞬間向上隆起，從而使芯片分離。相對(duì)傳統(tǒng)的激光切割法，SD的優(yōu)點(diǎn)包括：沒有硅碎屑；切口窄，可以獲得更多芯片；此外，使用SD方法剝落和裂紋現(xiàn)象也將減少，提高了晶圓切割整體質(zhì)量。
SiC融資風(fēng)云
無論是開發(fā)出契合市場(chǎng)與用戶需求的好產(chǎn)品，還是取得重大技術(shù)突破，都有機(jī)會(huì)成為資本市場(chǎng)的寵兒。近期，優(yōu)質(zhì)廠商的融資也是持續(xù)不斷。
眾多廠商當(dāng)中，德智新材、超芯星、清純半導(dǎo)體均在12月完成了數(shù)億元融資，成為融資能力方面的佼佼者。
其中，超芯星是一家成立于2019年4月的初創(chuàng)企業(yè)，但已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)極少數(shù)具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的SiC襯底供應(yīng)商，擁有多種技術(shù)路線，在核心裝備、智能制造、生長(zhǎng)工藝、加工技術(shù)、產(chǎn)品檢測(cè)、模擬仿真等方向擁有先進(jìn)的核心技術(shù)。得益于此，超芯星成立至今已完成5輪融資。
而成立于2021年3月的清純半導(dǎo)體已完成4輪融資，是目前國(guó)內(nèi)極少數(shù)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國(guó)際一流水平、基于國(guó)內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET的企業(yè)。
SiC合作共贏
強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合使雙方具備更多優(yōu)勢(shì)，各大SiC廠商正在從技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)等多方面尋求合作共贏。
其中，羅姆和東芝、IME和centrotherm、世紀(jì)金芯和湖南S公司、芯塔電子和中科海奧等更多是在技術(shù)方面展開合作，Luminus和湖南三安將合力開拓市場(chǎng)，理想汽車則致力于擴(kuò)大供貨渠道。
值得一提的是，理想汽車已和安森美、意法半導(dǎo)體兩大國(guó)際巨頭分別簽署了SiC長(zhǎng)期供貨協(xié)議。理想汽車目前在國(guó)內(nèi)新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展勢(shì)頭良好，正在積極將SiC功率器件引入旗下車型中，需求日益增長(zhǎng)，提前鎖定國(guó)際巨頭SiC器件產(chǎn)能是明智之舉。與理想汽車合作，也有利于國(guó)際廠商在國(guó)內(nèi)SiC市場(chǎng)深度滲透。
總結(jié)
在新能源汽車、光儲(chǔ)充、5G通信、軌道交通等領(lǐng)域廣闊的應(yīng)用前景為SiC產(chǎn)業(yè)帶來了巨大發(fā)展空間，SiC由此成為全球最熱門的投資領(lǐng)域之一，SiC產(chǎn)業(yè)有望在未來一段時(shí)間繼續(xù)保持較快增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
SiC產(chǎn)業(yè)持續(xù)升溫將引來更多入局者，老玩家們也將持續(xù)加碼，火熱、高潮迭起將成為常態(tài)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也將日趨激烈。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。