4月9日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。
source：鎵仁半導(dǎo)體
據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn)，使基于氧化鎵的功率器件具有更大的工作電流、電壓以及更小的導(dǎo)通電阻、器件尺寸和更高的轉(zhuǎn)換效率，主要用于制備功率器件、射頻器件及探測(cè)器件，在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏發(fā)電、5G移動(dòng)通信、國(guó)防軍工等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。此外，與目前火熱的碳化硅相比，氧化鎵的大硅片相對(duì)容易制造，有利于降低生產(chǎn)成本并提高產(chǎn)量，市場(chǎng)潛力大。
鎵仁半導(dǎo)體指出，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（010）襯底熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長(zhǎng)速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。
值得一提的是，此前，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。鎵仁半導(dǎo)體也借此成為了國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
如今鎵仁半導(dǎo)體再次推出新產(chǎn)品——2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，對(duì)國(guó)內(nèi)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè)擺脫國(guó)際壟斷起正面作用。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。