2月9日，源杰科技發(fā)布公告稱，公司擬投資建設(shè)光電通訊半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)生產(chǎn)基地二期項(xiàng)目，總投資金額約12.51億元，資金來源為自有資金及自籌資金，項(xiàng)目尚需提交公司股東會審議通過后正式推進(jìn)。
圖片來源：源杰半導(dǎo)體公告截圖
據(jù)悉，該二期項(xiàng)目選址于陜西省西咸新區(qū)灃西新城開元路1265號，與公司現(xiàn)有基地地理位置銜接，建設(shè)周期為18個(gè)月，主要建設(shè)內(nèi)容包括新建光芯片生產(chǎn)線、生產(chǎn)廠房及配套設(shè)施，聚焦高速光芯片領(lǐng)域，旨在提升公司高端光芯片訂單交付的穩(wěn)定性與響應(yīng)速度，滿足客戶在數(shù)據(jù)中心建設(shè)等領(lǐng)域持續(xù)提升的產(chǎn)品需求。
值得關(guān)注的是，此次投建的光電通訊芯片二期基地，本質(zhì)上是源杰半導(dǎo)體對化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步加碼與深化。
公開資料顯示，源杰半導(dǎo)體成立于2013年，2022年登陸科創(chuàng)板，是我國領(lǐng)先的半導(dǎo)體激光器芯片制造商，核心業(yè)務(wù)聚焦于磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體激光器芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，構(gòu)建了從外延生長、芯片制造到封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈能力，也是國家級專精特新“小巨人”企業(yè)。
化合物半導(dǎo)體與傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體相比，具有高頻、高速、耐高溫、低功耗等突出優(yōu)勢，是光電通訊芯片的核心支撐材料，其中磷化銦、砷化鎵更是光通信領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵材料——磷化銦主要用于制造高速激光器芯片、探測器芯片，是400G/800G光模塊、5G基站光模塊的核心組件，而砷化鎵則廣泛應(yīng)用于中低速光芯片及激光雷達(dá)芯片領(lǐng)域。
源杰半導(dǎo)體此次投建的二期基地，將延續(xù)其核心技術(shù)路線，重點(diǎn)推進(jìn)基于磷化銦等化合物半導(dǎo)體材料的高速光芯片規(guī)?；a(chǎn)，進(jìn)一步突破外延生長、干法刻蝕等關(guān)鍵工藝瓶頸，提升產(chǎn)品性能與良率，其自主研發(fā)的25G DFB激光器芯片已實(shí)現(xiàn)波長偏差±3nm、可靠性達(dá)100萬小時(shí)的優(yōu)異性能，對標(biāo)國際巨頭水平。
從行業(yè)層面來看，近年來，隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)、5G通信、人工智能、云計(jì)算等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心建設(shè)加速推進(jìn)，光模塊向高速率、高帶寬升級，帶動高速光芯片需求持續(xù)爆發(fā)，而化合物半導(dǎo)體作為高速光芯片的核心載體，市場規(guī)模呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級的核心賽道之一。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。