文章分類： 氮化鎵GaN

瞻芯電子：國產驅動芯片IVCR1801A和1407A量產

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，瞻芯電子自主開發(fā)的2款通用柵極驅動芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動了全國產供應鏈量產。 據(jù)了解，IVCR1801A和IVCR1407A均為單通道、高速、低側的柵極驅動芯片（Gate-driver），已獲工規(guī)級可靠性認證（JEDEC)，且能兼容替代國際廠牌的成熟...  [詳內文]

6.98億，國產射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國產射頻芯片龍頭國博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產業(yè)化項目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權（最終購買金額和面積以實際出讓文件為準），并開展射頻集成電路產業(yè)化項目二期建設。 項目與公司已建設的項目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內文]

臺灣地區(qū)化合物半導體產業(yè)迎來逆風，各大廠信心不減

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
受益于新能源革命，電動汽車、光伏儲能以及工業(yè)自動化等下游應用的多點爆發(fā)，以碳化硅、氮化鎵為首的化合物半導體進入了高速增長的階段，成為了行業(yè)“熱詞”，逐漸從小眾走向主流。 近年來，臺灣地區(qū)也在不斷加速化合物半導體產業(yè)的發(fā)展。 01、2022年總產值791億元，年減4.5% 日前，據(jù)...  [詳內文]

涉及GaN、GaAs技術，兆馳半導體與立琻半導體達成協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 16:54 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，兆馳半導體與蘇州立琻半導體有限公司（Lekin Semi）（以下簡稱“立琻半導體”）在LED芯片領域達成專利許可協(xié)議。 此項專利許可協(xié)議范圍包括數(shù)百項全球LED芯片核心專利，覆蓋美國、歐洲、日韓及中國大陸、中國臺灣等國家和地區(qū)，專利保護范圍包括PSS襯底，LED外延結構，L...  [詳內文]

年產120臺化合物半導體MOCVD設備，中晟光電半導體設備項目封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月18日，中晟光電設備（上海）股份有限公司位于臨港的研發(fā)和生產基地建設項目主體結構順利封頂。 據(jù)了解，項目建筑面積21,180.73平方米，包含千級潔凈室1,700平方、萬級潔凈室4,000平方、十萬級潔凈室2,000平方，涵蓋了辦公、研發(fā)、生產、會議、培訓等眾多區(qū)域。 項目建...  [詳內文]

捷捷微電擬上調6英寸晶圓及器件封測生產線總投資額

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 16:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2月22日，捷捷微電發(fā)布關于全資子公司功率半導體6英寸晶圓及器件封測生產線建設項目變更投資總額的公告。 據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開的董事會上審議通過了《關于對外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導體建設“功率半導體6英寸晶圓及器件封測生產線建設項目”，總投資5.1億...  [詳內文]

涉及化合物半導體，安徽省2023年首批重點項目公布

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 8:56 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月20日，安徽省人民政府公布安徽省2023年重點項目清單（第一批）。項目清單分為A類項目和B類項目，合計近一萬項項目。 A類中，續(xù)建項目包括“臻芯年產1000萬（套）LED封裝項目”、“青鳥消防應急照明生產基地項目”、“年產兩億顆LED照明芯片封測項目”、“芯視佳硅基OLED...  [詳內文]

江豐電子控股子公司江豐同芯舉行開業(yè)暨投產儀式

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 20 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2月18日，江豐電子控股子公司寧波江豐同芯半導體材料有限公司（以下簡稱“江豐同芯”）舉行開業(yè)暨投產儀式。 據(jù)官微介紹，江豐同芯專業(yè)從事功率半導體用覆銅陶瓷基板產品的研發(fā)、生產、銷售及相關產學研項目的合作，產品主要服務于功率半導體模塊化產業(yè)，廣泛應用于5G通信、新能源、軌道交通、特...  [詳內文]

功率半導體，增長勢頭過于強勁

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 17 日 17:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在最近的幾次采訪中，英飛凌首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 討論了功率半導體市場的狀況。Hanebeck 指出，雖然短期內整體半導體芯片短缺可能會有所改善，但功率半導體是市場中一個相當獨特的部分。汽車電氣化和清潔能源的加速需求仍將使功率半導體短缺。其次，他指出代工廠的投...  [詳內文]

德州儀器擬擴大日本工廠的氮化鎵產能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 15 日 17:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，德州儀器（TI）日本負責人Samuel Vicari日前接受日經(jīng)新聞專訪，透露將擴大在日氮化鎵晶圓產能。 Vicari表示，“雖然整體市場放緩是事實，但我們涵蓋的一些市場仍然表現(xiàn)良好，例如汽車。對工業(yè)機器人和自動化以提高（供應網(wǎng)絡）效率的需求也很強勁。這些應用需要成熟制程產...  [詳內文]