據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。
據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底... [詳內(nèi)文]
成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù) |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:20 | 分類 功率 |