日本住友電氣工業(yè)株式會(huì)社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過革命性散熱架構(gòu)設(shè)計(jì)，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]