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安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請一項(xiàng)名為“一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

這個(gè)國產(chǎn)氮化鎵激光芯片量產(chǎn)發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 28 日 17:35 | 分類 光電
8月26日，國產(chǎn)半導(dǎo)體氮化鎵激光芯片昨天在六安實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，距離從安徽格恩半導(dǎo)體有限公司的實(shí)驗(yàn)室里誕生，僅用了180天，意味著我國在氮化鎵激光芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。 同日，格恩半導(dǎo)體在六安曙光鉑尊酒店舉辦氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會。 會上，格恩半導(dǎo)體共發(fā)布了十多款氮化鎵激光芯片產(chǎn)品，其中包...  [詳內(nèi)文]

格恩半導(dǎo)體獲創(chuàng)合鑫材基金投資，聚焦化合物半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2022 年 10 月 26 日 11:35 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“格恩半導(dǎo)體”）獲創(chuàng)合鑫材基金獨(dú)家投資。 資料顯示，格恩半導(dǎo)體成立于2021年，主營高端化合物半導(dǎo)體外延材料、芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，具備大功率半導(dǎo)體激光器、紫外LED、高功率LED批量生產(chǎn)能力，多款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代。 目前，格恩半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]