相關資訊：氮化鎵

國內(nèi)12英寸氮化鎵達成一起新合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 21 日 14:06 | 分類 氮化鎵GaN
10月20日，蘇州東微半導體股份有限公司（以下簡稱“東微半導體”）官微消息，其與蘇州晶湛半導體有限公司（以下簡稱“晶湛半導體”）雙方已達成戰(zhàn)略合作，共同推進12英寸氮化鎵技術與產(chǎn)品的研發(fā)與應用。 圖片來源：蘇州東微半導體股份有限公司 資料顯示，東微半導體成立于2008年，產(chǎn)品覆...  [詳內(nèi)文]

垂直GaN新秀獲1100萬美元融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 17 日 10:40 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
硅谷AI硬件基礎設施迎來一家極具潛力的初創(chuàng)公司。由麻省理工學院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下簡稱“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100萬美元種子輪融資。本輪融資由知名風投機構Playground Global領...  [詳內(nèi)文]

功率半導體大廠談氮化鎵前景
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氮化鎵GaN
10月13日，瑞薩電子官微發(fā)文，介紹了瑞薩及其GaN（氮化鎵）技術發(fā)展征程，氮化鎵應用情況，以及未來氮化鎵面臨的挑戰(zhàn)與機會。 2024年瑞薩電子收購GaN領域的先驅企業(yè)Transphorm，進而完成了布局氮化鎵的關鍵一步。此次收購，瑞薩獲得了Transphorm的GaN知識產(chǎn)權、...  [詳內(nèi)文]

擬募資15.5億港元，國內(nèi)氮化鎵龍頭將擴產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 11 日 14:13 | 分類 氮化鎵GaN
10月10日，英諾賽科發(fā)布公告表示，擬募資15.5億港元，約4.82億港元用于產(chǎn)能擴充及產(chǎn)品迭代升級。 圖片來源：英諾賽科公告截圖 英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協(xié)議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協(xié)議所載條款并在其條件規(guī)限下購20,7...  [詳內(nèi)文]

涉及imec、英諾賽科等，氮化鎵新增兩起重磅合作！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 09 日 15:30 | 分類 氮化鎵GaN
在半導體技術不斷革新的當下，氮化鎵憑借其卓越性能成為行業(yè)焦點。近期，氮化鎵領域動作頻頻，比利時微電子研究中心（imec）啟動12英寸氮化鎵項目并公布首批合作伙伴，英諾賽科也攜手聯(lián)合電子與納芯微，聚焦新能源汽車功率電子領域展開深度合作，這些動態(tài)為氮化鎵技術的發(fā)展與應用帶來了新的契機...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵新品密集來襲，安費諾、氮矽科技、瑞薩電子相繼發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 09 日 9:22 | 分類 氮化鎵GaN
隨著第三代半導體技術的快速迭代，氮化鎵（GaN）憑借高功率密度、低能耗、耐高溫等核心優(yōu)勢，已成為消費電子、新能源、工業(yè)控制等領域技術升級的關鍵支撐。近期，全球多家半導體及能源科技企業(yè)集中發(fā)力，推出多款基于氮化鎵技術的創(chuàng)新產(chǎn)品。 安費諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開辟商用市場新機遇 ...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科亮相PCIM Asia，集中呈現(xiàn)國內(nèi)氮化鎵最新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:48 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
9月24日至26日，PCIM Asia展會（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會）如火如荼召開，全球氮化鎵功率半導體領先企業(yè)英諾賽科（Innoscience）呈現(xiàn)了其最新的InnoGaN產(chǎn)品系列與多行業(yè)應用方案，吸引眾多業(yè)內(nèi)人士駐足交流。 PCIM Asia作為亞太地...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵產(chǎn)能進一步釋放，兩家廠商迎重大進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:39 | 分類 氮化鎵GaN
近期，氮化鎵半導體領域發(fā)展勢頭強勁，山東鎵數(shù)智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來重要消息。山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項目全面達產(chǎn)，在產(chǎn)能建設與市場拓展方面成果顯著；與此同時，東部高科650V GaN HEMT工藝開發(fā)進入最終階段，并計劃推出專屬氮化鎵多項目晶圓項目，同時...  [詳內(nèi)文]

功率半導體大廠將進軍氮化鎵市場！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 25 日 13:04 | 分類 功率 , 氮化鎵GaN
在全球科技加速向清潔能源與智能化轉型的浪潮中，功率半導體市場正迎來新一輪技術革新與產(chǎn)業(yè)變革。作為行業(yè)領軍者，東芝電子元件近期動作頻頻，在碳化硅（SiC）、IGBT等領域持續(xù)深耕并取得顯著成果后，又將戰(zhàn)略目光投向了氮化鎵（GaN）這一極具潛力的新興領域。 東芝電子元件將進軍氮化鎵市...  [詳內(nèi)文]