相關(guān)資訊：氮化鎵

羅姆首款高耐壓GaN驅(qū)動(dòng)器IC量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:16 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)，有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 圖片來(lái)源：羅姆半...  [詳內(nèi)文]

英偉達(dá)攜手納微升級(jí)電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達(dá)達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同開(kāi)發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達(dá)下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計(jì)算平臺(tái)。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體 當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]

阿爾法推出氮化鎵機(jī)器人關(guān)節(jié)模組
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 20 日 15:42 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，氮化鎵（GaN）正以高電子遷移率、高耐壓、低損耗等特性，成為人形機(jī)器人核心部件升級(jí)的關(guān)鍵推手。近期，國(guó)內(nèi)公司傳出相關(guān)新動(dòng)態(tài)。 5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人關(guān)節(jié)模組（型號(hào)：ZK-RI 0–PRO...  [詳內(nèi)文]

外延基地投產(chǎn)、氮化鎵芯片破億，華潤(rùn)微雙線告捷
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:33 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月16日，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群旗下潤(rùn)新微電子（大連）有限公司在大連高新區(qū)黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行“氮化鎵億顆芯片慶典暨外延生產(chǎn)基地通線儀式”?；顒?dòng)上正式宣告其氮化鎵外延生產(chǎn)基地建成投產(chǎn)，并同步慶祝氮化鎵芯片累計(jì)出貨量突破一億顆。 外延生產(chǎn)基地正式通線 據(jù)官方披露，該外延生產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 12 日 14:25 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月9日，電子科技大學(xué)教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)，正式發(fā)布了全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標(biāo)志著中國(guó)在量子科技領(lǐng)域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵硬件支撐。 source：成都市發(fā)展改革委 據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實(shí)際尺寸僅有0...  [詳內(nèi)文]

納微、天岳先進(jìn)發(fā)布Q1成績(jī)單：營(yíng)收承壓，技術(shù)突圍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 08 日 14:01 | 分類(lèi) 企業(yè)
近期，全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)財(cái)報(bào)季關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，納微半導(dǎo)體和天岳先進(jìn)分別交出第一季度成績(jī)單。兩家企業(yè)分別作為功率器件設(shè)計(jì)與碳化硅襯底制造領(lǐng)域的標(biāo)桿，在當(dāng)前復(fù)雜的宏觀環(huán)境下，營(yíng)收規(guī)模雖呈現(xiàn)階段性收縮，但均通過(guò)核心技術(shù)深耕與戰(zhàn)略市場(chǎng)卡位，展現(xiàn)出穿越周期的產(chǎn)業(yè)韌性。 01、納微半導(dǎo)體：營(yíng)...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科多款氮化鎵產(chǎn)品集中亮相
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 29 日 15:35 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日， 英諾賽科在慕尼黑上海電子展（Electronica China）和武漢九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE）上展出的氮化鎵產(chǎn)品及解決方案，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。 其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點(diǎn)展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V ...  [詳內(nèi)文]

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)展示自研產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 27 日 15:11 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖實(shí)驗(yàn)室”官微消息，2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)期間，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)對(duì)外全面展示科研平臺(tái)、設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)、中試平臺(tái)、分析檢測(cè)中心能力，同時(shí)帶來(lái)了8吋 SiC激光剝離襯底及復(fù)合襯底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [詳內(nèi)文]

聞泰科技、三安光電財(cái)報(bào)出爐，聚焦SiC與GaN進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 27 日 14:53 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，聞泰科技與三安光電相繼發(fā)布最新財(cái)務(wù)報(bào)告，這兩家公司均在第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域展現(xiàn)出積極的布局和顯著的進(jìn)展。聞泰科技憑借其在半導(dǎo)體和通信技術(shù)領(lǐng)域的多元化優(yōu)勢(shì)，在車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅應(yīng)用和氮化鎵高效能領(lǐng)域取得突破；而三安光電則依托其在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的...  [詳內(nèi)文]

濟(jì)南打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目建設(shè)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 23 日 16:10 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，濟(jì)南發(fā)布《2025年國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭(zhēng)取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國(guó)家支持。 近年濟(jì)南市依托政...  [詳內(nèi)文]