相關(guān)資訊：氮化鎵

碳化硅和氮化鎵的專利井噴，第三代半導體產(chǎn)業(yè)進階
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 26 日 13:52 | 分類 企業(yè)
近日，碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域頻傳專利突破喜訊，多家企業(yè)和研究機構(gòu)取得關(guān)鍵進展，為半導體行業(yè)的發(fā)展注入新動力。 這些專利成果聚焦于材料制備、器件制造以及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，有望推動相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，提升產(chǎn)業(yè)競爭力。 1、材料制備革新 3 月 24 日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都天...  [詳內(nèi)文]

全球首創(chuàng)！我國九峰山實驗室在氮化鎵材料新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 24 日 14:17 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)九峰山實驗室3月22日消息，九峰山實驗室的科研團隊在全球首創(chuàng)性地實現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備，這一成果不僅標志著我國在半導體材料領(lǐng)域的重大進步，更為未來諸多前沿技術(shù)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。 1、技術(shù)突破：氮極性氮化鎵材料的制備 ...  [詳內(nèi)文]

意法半導體與重慶郵電大學達成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:47 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，意法半導體（ST）與重慶郵電大學正式簽署產(chǎn)學研戰(zhàn)略合作協(xié)議，開啟深度合作新篇章。 據(jù)悉，此次簽約是落實2023年11月意法半導體與重慶高新區(qū)《人才培養(yǎng)與聯(lián)合創(chuàng)新國際合作備忘錄》的重要舉措，旨在服務(wù)重慶“33618”現(xiàn)代制造業(yè)集群建設(shè)戰(zhàn)略，助力智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)聯(lián)合，攻關(guān)8英寸外延片功率器件工藝
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:42 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)深圳國資消息，3月18日，重投天科與鵬進高科、尚陽通科技正式簽署合作協(xié)議，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工藝的聯(lián)合攻關(guān)。這一合作標志著國內(nèi)半導體企業(yè)在關(guān)鍵材料技術(shù)領(lǐng)域的深度協(xié)同，旨在突破高端功率器件制造中的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。 source：深重投集團 8英寸外延片是半導體制造中的...  [詳內(nèi)文]

華潤微旗下公司發(fā)力，氮化鎵外延片項目將投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
海創(chuàng)集團官微消息，近日，潤新微電子集團有限公司與大連海創(chuàng)集團有限公司下屬建設(shè)發(fā)展公司正式達成戰(zhàn)略合作，宣布入駐黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園。 上述項目是第三代半導體氮化鎵外延材料和電子元器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的重要基地總建筑面積6238.38平方米，同時配套有占地面積2966.6平方米的附屬設(shè)...  [詳內(nèi)文]

EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:19 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 氮化鎵GaN
3月19日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）宣布，其在與美國宜普公司（EfficientpowerConversionCorporation，EPC）發(fā)起的專利侵權(quán)案中取得決定性勝利。 3月18日,美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利(US’294號專...  [詳內(nèi)文]

安徽格恩半導體申請氮化鎵基化合物半導體激光器專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基化合物半導體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導體激光器。該氮化鎵基化合物半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

杭州第三代半導體相關(guān)項目迎新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 17:04 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項目已完成40%的施工進度。計劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工，項目計劃打造臨安首個集芯片設(shè)計研發(fā)、先進封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方...  [詳內(nèi)文]

這家破產(chǎn)的GaN工廠，被全球三大公司競購
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 16:59 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，一場圍繞氮化鎵（GaN）技術(shù)的競購戰(zhàn)正在比利時奧德納爾德市悄然上演。曾被譽為歐洲GaN技術(shù)先驅(qū)的BelGaN工廠，因資金鏈斷裂于2024年8月申請破產(chǎn)，其440名員工的命運與價值1.3億歐元的資產(chǎn)標的，成為全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈爭奪的焦點。 從輝煌到隕落，BelGaN花落誰家 B...  [詳內(nèi)文]

聚焦三代半等領(lǐng)域，江蘇首只高校科技成果轉(zhuǎn)化基金完成注冊
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)江蘇金融湃消息，近日江蘇首只高?？萍汲晒D(zhuǎn)化基金——南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金完成工商注冊。這只總規(guī)模5億元的基金，將重點投向第三代半導體、前沿新材料等戰(zhàn)略領(lǐng)域，為高?？蒲谐晒D(zhuǎn)化注入”耐心資本”。 據(jù)悉，該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]