新能源汽車大勢之下,以碳化硅為代表的第三代半導體發(fā)展風生水起。與此同時,第四代半導體也在蓄勢待發(fā),其中,氧化鎵(Ga2O3)基于其性能與成本優(yōu)勢,有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。
鴻海入局氧化鎵
近期媒體報道,鴻海研究院半導體所與陽明交大電子所合作,雙方研究團隊在第四代...  [詳內文]
第四代半導體氧化鎵蓄勢待發(fā) |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分類 功率 |