7月22日，韓國化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應(yīng)用于高速開關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。
source：Siegtronics
據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高... [詳內(nèi)文]
韓國首個(gè)1200V 氧化鎵SBD問世 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類 功率 |