據(jù)遼寧盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)報道，近日，遼寧百思特達半導(dǎo)體科技有限公司氮化鎵項目正式開工建設(shè)，這距離該項目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個月時間。
資料顯示，該項目總投資15億元，計劃占地440畝，以氮化鎵半導(dǎo)體材料為主，相關(guān)配套輔助產(chǎn)業(yè)為輔，并在盤錦建立新材料閉環(huán)產(chǎn)業(yè)園，達產(chǎn)后預(yù)計可實現(xiàn)銷售收入4億元，稅收7000萬元。
氮化鎵半導(dǎo)體材料及氮化鎵芯片研發(fā)、生產(chǎn)項目開始動土，一期總投資3億元，占地125畝，總建筑面積66600平方米，包括綜合研發(fā)實驗室、半導(dǎo)體及芯片生產(chǎn)車間、應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)車間、制氫站車間、倉庫及員工生活配套區(qū)，新上氮化鎵外延生產(chǎn)線、芯片生產(chǎn)線，封裝生產(chǎn)線，應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)線。
根據(jù)原計劃，項目計劃于11月前動工建設(shè)，2021年6月前竣工投產(chǎn)。投產(chǎn)后兩年內(nèi)銷售產(chǎn)值每年不少于4億元，年上繳稅金不少于2000萬元。（來源：遼寧盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)）