盡管目前以碳化硅（SiC）/氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料正在被廣泛應用，風光無限，但產(chǎn)業(yè)界仍然在持續(xù)加碼以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代半導體材料，以期挖掘砷化鎵、磷化銦材料更長遠和更大的價值。
近日，國內(nèi)又有2個砷化鎵、磷化銦相關項目幾乎同時披露了最新進展，分別是海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目、唐晶量子化合物半導體外延片項目，兩個項目合計投資額超過50億元。
source：立昂微
海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目通線
12月24日，據(jù)杭州立昂微電子股份有限公司（以下簡稱：立昂微）官微消息，海寧立昂東芯6英寸微波射頻芯片及器件項目于12月23日正式通線。
據(jù)介紹，海寧立昂東芯注冊成立于2021年，是立昂微化合物半導體射頻芯片業(yè)務板塊新的生產(chǎn)基地項目。項目規(guī)劃總投資50億元，布局6英寸砷化鎵微波射頻芯片、氮化鎵（GaN HEMT）以及垂直腔面激光器（VCSEL）等產(chǎn)品領域，建成后將達到年產(chǎn)36萬片6英寸微波射頻芯片及器件的生產(chǎn)規(guī)模。
唐晶量子化合物半導體外延片項目投產(chǎn)
12月22日，據(jù)“長安號”消息，西安高新區(qū)近日舉行了2024年下半年重點項目集中竣工投產(chǎn)活動，本次活動共有23個重點項目正式竣工投產(chǎn)，總投資達335.22億元，其中包括唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目。
據(jù)報道，唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目建設了一條砷化鎵和磷化銦化合物半導體外延片生產(chǎn)線，用于化合物半導體外延片的研發(fā)及生產(chǎn)。
砷化鎵、磷化銦產(chǎn)線建設趨火
近期，砷化鎵、磷化銦產(chǎn)業(yè)似乎掀起了一股投資擴產(chǎn)潮，除上述兩個項目外，還有多個廠商披露了在砷化鎵、磷化銦領域的最新項目進展或規(guī)劃。
其中，常州縱慧芯光半導體科技有限公司旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”在今年10月已完成封頂。該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預計明年1月投產(chǎn)，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。
珠海華芯微電子有限公司首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線近日正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓，預計將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
12月9日，高意（Coherent）宣布，其根據(jù)《芯片與科學法案》與美國商務部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元（約2.4億人民幣），以支持Coherent現(xiàn)有70萬平方英尺的先進制造潔凈室的現(xiàn)代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴建。該項目將通過增加先進的晶圓制造設備，擴建全球首個6英寸磷化銦生產(chǎn)線，以擴大磷化銦器件的規(guī)?；a(chǎn)。
隨后在12月21日，兆馳股份發(fā)布公告，擬投資建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產(chǎn)線。本次投資為項目一期，項目一期建設擬投資金額不超過5億元。
作為上述這些擴產(chǎn)項目的主角之一，?砷化鎵具有多種優(yōu)勢，包括高頻率、高速度、高功率、低噪聲和低功耗，?這些特性使得砷化鎵在微波通信、高速集成電路、光電子器件等領域表現(xiàn)出色。
而磷化銦具有較高的電子遷移率和飽和電子漂移速度，適合制造高頻和高速電子設備?，此外，磷化銦在光電特性方面也表現(xiàn)出色，適合光電子和光通信應用，磷化銦襯底制造的半導體器件廣泛應用于光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等領域。
從應用領域來看，近期的砷化鎵、磷化銦擴產(chǎn)項目也基本都是圍繞微波射頻、VCSEL激光芯片、光通信等場景展開，有望進一步推動砷化鎵、磷化銦器件在各個領域的滲透。（文：集邦化合物半導體Zac）
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