近期，三安光電大動作接連不斷。6月4日，70億元的定增新股申請剛獲證監(jiān)會核準批復；6月7日，與TCL華星的Micro LED聯(lián)合實驗室正式成立；昨（16）日宣布160億元投資碳化硅等化合物半導體市場。
公告顯示，6月15日，三安光電與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《項目投資建設合同》。三安光電決定在長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司，投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。
項目實施主體為擬成立的長沙控股子公司，將研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
三安光電稱，公司在用地各項手續(xù)和相關條件齊備后24個月內完成一期項目建設并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內完成二期項目建設和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)，72個月內實現(xiàn)達產(chǎn)。
三安光電表示，第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目有著廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。
近幾年來，國家大力扶持半導體產(chǎn)業(yè)，相關政策的出臺加快了第三代半導體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化進程，并且國產(chǎn)化的呼聲越來越高?；衔锇雽w產(chǎn)品逐漸發(fā)展成為相關企業(yè)強勁的增長動能，越來越多廠商進軍該市場。作為LED行業(yè)龍頭廠商，三安光電的發(fā)展重心早已轉向化合物半導體、Mini/Micro LED顯示以及汽車照明市場。
在本次項目之前，三安光電已布局三大關于化合物半導體領域的項目，總投資額分別為330億元、120億元、138億元。目前，三安光電正在全力推進各大項目的建設。
其中，330億元產(chǎn)業(yè)化項目落戶福建省泉州芯谷南安園區(qū)，具體包括七大產(chǎn)業(yè)化項目：高端氮化鎵 LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；高端砷化鎵 LED 外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；光通訊器件的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；射頻、濾波器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；功率型半導體（電力電子）的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產(chǎn)品應用研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目。
此項目計劃五年內實現(xiàn)投產(chǎn)，七年內全部項目實現(xiàn)達產(chǎn)。2019年，項目購買的設備陸續(xù)到廠，已有部分設備安裝完成，已進入調試階段，待調試完成后將逐步釋放產(chǎn)能。
120億元III-V族化合物半導體落戶湖北省葛店經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售Mini/Micro LED外延與芯片產(chǎn)品及相關應用。2019年，該項目完成土地摘牌，目前正在建設中。
138億元半導體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目（一期）聚焦氮化鎵、砷化鎵、特種封裝三大業(yè)務板塊。其中70億元為募集資金，長沙先導高芯與格力分別認購50億元、20億元。項目主要產(chǎn)品包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、RS紅光/紅外產(chǎn)品、Mini/Micro LED芯片、車用LED照明、植物照明LED芯片、大功率激光器、太陽電池芯片等。本月初，此次70億元的定增新股申請獲得證監(jiān)會核準批復。
本次160億元的化合物半導體項目再一次表明三安光電發(fā)力高端半導體市場的決心，不斷加快步伐搶占市場占有率。隨著半導體國產(chǎn)化的訴求不斷升溫，三安光電的又一次豪氣投資將有助于進一步推動國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。（文：LEDinside Janice）
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