廣東:擬投1萬億,芯粵能等第三代半導(dǎo)體項目在列

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 22 日 9:00 | 分類 碳化硅SiC

近日,廣東省發(fā)展和改革委員會發(fā)布關(guān)于下達(dá)廣東省2023年重點建設(shè)項目計劃的通知。

2023年廣東省共安排省重點項目1530個,總投資8.5萬億元,年度計劃投資1萬億元;安排開展前期工作的省重點建設(shè)前期預(yù)備項目1090個,估算總投資4.6萬億元。

其中,第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目有廣東芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線、深圳市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、深圳方正微電子第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地、廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺和粵港澳大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目。

廣東芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線項目

建設(shè)年產(chǎn)24萬片的6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線,總投資35億元,項目產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件,主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

深圳市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項目

總投資32.7億元,建設(shè)研發(fā)大樓、宿舍樓、晶體廠房、外延廠房、動力廠房、氫氣庫、氣體間、化學(xué)品庫等。

深圳方正微電子第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目

總投資115.4億元,主要建設(shè)生產(chǎn)線及配套建筑和設(shè)施。

廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1,2區(qū)

1區(qū)總投資44億元,主要建設(shè)精密半導(dǎo)體設(shè)備制造、氮化鎵襯底生產(chǎn)線等;2區(qū)投資56億元,主要建設(shè)MiniLED COB顯示模組生產(chǎn)線廠房、研究院、中 試中心、辦公樓和宿舍生活配套設(shè)施。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺建設(shè)項目

總投資33.5億元,主要建設(shè)辦公樓、潔凈中試廠房、配套動力及倉儲設(shè)施等。

粵港澳大灣區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

總投資30億元,總建筑面積24萬平方米,打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理)

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