近日，廣東省發(fā)展和改革委員會發(fā)布關于下達廣東省2023年重點建設項目計劃的通知。
2023年廣東省共安排省重點項目1530個，總投資8.5萬億元，年度計劃投資1萬億元；安排開展前期工作的省重點建設前期預備項目1090個，估算總投資4.6萬億元。
其中，第三代半導體相關項目有廣東芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線、深圳市第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈、深圳方正微電子第三代半導體產(chǎn)業(yè)化基地、廣東光大第三代半導體科研制造中心、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺和粵港澳大灣區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地項目。
廣東芯粵能碳化硅芯片生產(chǎn)線項目
建設年產(chǎn)24萬片的6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，總投資35億元，項目產(chǎn)品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要應用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、智能電網(wǎng)以及光伏發(fā)電等領域。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
深圳市第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈項目
總投資32.7億元，建設研發(fā)大樓、宿舍樓、晶體廠房、外延廠房、動力廠房、氫氣庫、氣體間、化學品庫等。
深圳方正微電子第三代半導體產(chǎn)業(yè)化基地建設項目
總投資115.4億元，主要建設生產(chǎn)線及配套建筑和設施。
廣東光大第三代半導體科研制造中心1，2區(qū)
1區(qū)總投資44億元，主要建設精密半導體設備制造、氮化鎵襯底生產(chǎn)線等；2區(qū)投資56億元，主要建設MiniLED COB顯示模組生產(chǎn)線廠房、研究院、中 試中心、辦公樓和宿舍生活配套設施。
國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺建設項目
總投資33.5億元，主要建設辦公樓、潔凈中試廠房、配套動力及倉儲設施等。
粵港澳大灣區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地
總投資30億元，總建筑面積24萬平方米，打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地。（文：集邦化合物半導體 Arely整理）
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