近日，智新半導體二期產(chǎn)線順利下線首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊，該批產(chǎn)品已完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗。
據(jù)悉，智新半導體碳化硅模塊項目于2021年進行前期先行開發(fā)，去年12月正式立項為量產(chǎn)項目。該項目以智新半導體封裝技術(shù)為引領(lǐng)，實現(xiàn)了從模塊設(shè)計、封裝測試、電控應(yīng)用到整車路試等環(huán)節(jié)關(guān)鍵核心技術(shù)的自主掌控。
據(jù)智新半導體介紹，該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅襯底，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續(xù)航里程提升5%-8%。
資料顯示，碳化硅寬禁帶半導體是國家“十四五”規(guī)劃綱要中重點關(guān)注的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)項目，同時具備高禁帶寬度、高電子遷移率、高導熱等特點，使得碳化硅模塊具有高效率、高壓、高工作溫度幾大優(yōu)勢，在中高端新能源汽車中的應(yīng)用越來越普及。
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值得關(guān)注的是，近期碳化硅功率模塊相關(guān)廠商動作頻頻。英飛凌、現(xiàn)代和起亞在10月18日發(fā)布聲明稱，三方已簽署碳化硅和硅功率半導體供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，英飛凌將在未來數(shù)年內(nèi)向現(xiàn)代起亞供應(yīng)相關(guān)產(chǎn)品，現(xiàn)代起亞則出資支持前者產(chǎn)能建設(shè)與儲備。
隨后在10月26日-27日，基本半導體正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅(qū)動器及驅(qū)動芯片等系列新品，基本半導體功率器件整體解決方案同期亮相。
據(jù)基本半導體介紹，此次發(fā)布的第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在品質(zhì)系數(shù)因子、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更出色，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車電機控制器、車載電源、充電樁等領(lǐng)域。
此外，中瑞宏芯半導體近日完成近億元人民幣產(chǎn)投融資，由禾邁股份和納芯微聯(lián)合投資。中瑞宏芯表示，本輪融資將繼續(xù)用于碳化硅器件的技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新、生產(chǎn)運營及市場拓展，全面提升公司在SiC功率半導體行業(yè)核心競爭力。（化合物半導體市場Zac整理）
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