近日，智新半導體二期產線順利下線首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊，該批產品已完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。
據(jù)悉，智新半導體碳化硅模塊項目于2021年進行前期先行開發(fā)，去年12月正式立項為量產項目。該項目以智新半導體封裝技術為引領，實現(xiàn)了從模塊設計、封裝測試、電控應用到整車路試等環(huán)節(jié)關鍵核心技術的自主掌控。
據(jù)智新半導體介紹，該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅襯底，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續(xù)航里程提升5%-8%。
資料顯示，碳化硅寬禁帶半導體是國家“十四五”規(guī)劃綱要中重點關注的科技前沿領域攻關項目，同時具備高禁帶寬度、高電子遷移率、高導熱等特點，使得碳化硅模塊具有高效率、高壓、高工作溫度幾大優(yōu)勢，在中高端新能源汽車中的應用越來越普及。
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值得關注的是，近期碳化硅功率模塊相關廠商動作頻頻。英飛凌、現(xiàn)代和起亞在10月18日發(fā)布聲明稱，三方已簽署碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，英飛凌將在未來數(shù)年內向現(xiàn)代起亞供應相關產品，現(xiàn)代起亞則出資支持前者產能建設與儲備。
隨后在10月26日-27日，基本半導體正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅動器及驅動芯片等系列新品，基本半導體功率器件整體解決方案同期亮相。
據(jù)基本半導體介紹，此次發(fā)布的第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產品在品質系數(shù)因子、開關損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更出色，可廣泛應用于新能源汽車電機控制器、車載電源、充電樁等領域。
此外，中瑞宏芯半導體近日完成近億元人民幣產投融資，由禾邁股份和納芯微聯(lián)合投資。中瑞宏芯表示，本輪融資將繼續(xù)用于碳化硅器件的技術研發(fā)創(chuàng)新、生產運營及市場拓展，全面提升公司在SiC功率半導體行業(yè)核心競爭力。（化合物半導體市場Zac整理）
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