1月16日，國內碳化硅廠商露笑科技宣布在8英寸導電型碳化硅襯底的研發(fā)與產業(yè)化方面取得里程碑式進展，將加速產能建設與釋放；同時該公司發(fā)布公告表示擬調整“第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園項目”的募集資金計劃投資總額。
8英寸導電型碳化硅襯底研發(fā)取得新進展，將加速產能建設與釋放
露笑科技表示，公司已全面掌握8英寸導電型碳化硅晶體生長工藝參數之間的耦合關系，成功生長出高質量的8英寸碳化硅晶體。晶體結晶質量高，晶型控制穩(wěn)定，確保了襯底的高性能和一致性。
圖片來源：露笑科技
公司在8英寸導電型碳化硅襯底的關鍵參數，包括微管密度、表面粗糙度、位錯密度、電阻率分布均勻性等，均已達到或優(yōu)于行業(yè)主流標準。其中，微管密度極低，表面質量滿足客戶要求，為下游客戶制造高性能、高可靠性的碳化硅功率器件奠定了堅實基礎。
同時，公司擁有自主知識產權的生長設備和核心技術，實現了從原料合成、晶體生長、到襯底加工的全產業(yè)鏈技術布局。公司已建立起可重復的8英寸碳化硅襯底制造工藝體系，技術成熟度高。
目前，露笑科技合肥基地一期項目已順利投產，為公司提供了堅實的基礎產能。在此基礎上，公司正積極籌劃二期擴產項目。二期項目將重點聚焦于8英寸襯底及外延片的產線建設，旨在快速形成規(guī)?；a能力，以滿足新能源汽車、光伏發(fā)電、儲能及工業(yè)控制等領域對高性能8英寸碳化硅襯底日益增長的市場需求。
未來，露笑科技將前瞻性地布局下一代碳化硅技術，積極探索更大尺寸襯底的研發(fā)，致力于保持在行業(yè)內的技術領先地位，鞏固公司的核心競爭優(yōu)勢。
“第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園項目”的募集資金計劃投資總額下調
1月16日，露笑科技發(fā)布公告表示，公司擬將“第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園項目”的募集資金計劃投資總額，從19.4億元下調至9.9億元，由此節(jié)余的9.5億元募集資金，將用于永久補充公司的流動資金。
圖片來源：露笑科技公告截圖
2020年8月，露笑科技與合肥市長豐縣人民政府簽署《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，擬在長豐縣共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園，主要建設國際領先的第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作等產業(yè)鏈的研發(fā)和生產基地
根據最新公告，公司董事會會議已審議通過議案，同意對“第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園項目”（一期）的投資規(guī)模進行調整。擬將總投資金額由21億元調整為11.50億元，募集資金計劃投資總額由19.40億元調整為9.90億元。
對此，露笑科技在公告中表示，該項目自規(guī)劃以來，行業(yè)總體競爭格局、市場環(huán)境發(fā)生了較大變化。首先，6英寸導電型碳化硅襯底市場競爭日趨激烈。在國家產業(yè)政策支持和下游市場發(fā)展預期的驅動下，全球碳化硅襯底廠商產能擴張速度加快，導致6英寸產品的產能快速釋放。
然而，自2024年以來，受宏觀經濟環(huán)境、歐美新能源政策調整等因素影響，全球新能源汽車市場增速放緩，下游汽車廠商需求疲軟，并持續(xù)利用議價優(yōu)勢壓低產品價格。同時，光伏逆變、軌道交通等其他應用領域雖然需求增長，但短期內難以消化龐大的襯底產能。此外，8英寸等更大尺寸的碳化硅襯底片陸續(xù)面世，也對6英寸產品形成了技術和市場上的沖擊。
露笑科技認為，在此背景下，如果繼續(xù)按照原計劃大規(guī)模投入建設，將大幅增加公司的固定成本和經營風險，不符合公司長遠利益。公司判斷，調整投資規(guī)模后的產能，預計已能夠滿足現階段的發(fā)展需求，無需再按照原計劃進行投入。
（集邦化合物半導體 秦妍 整理）
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