近日，韓國8英寸晶圓代工廠東部高科（DB Hitek）宣布升級(jí)超高壓（UHV）功率半導(dǎo)體工藝技術(shù)，正式進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
資料顯示，超高壓功率半導(dǎo)體可廣泛應(yīng)用于家電、汽車、通信和工業(yè)等領(lǐng)域。相關(guān)人士表示，東部高科將以其具有競爭力的功率半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)，向高附加值、高增長的超高壓功率半導(dǎo)體方向發(fā)展，增強(qiáng)整體競爭力。
通過觀察東部高科近兩年在功率半導(dǎo)體方面的動(dòng)作不難發(fā)現(xiàn)，東部高科進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)已是水到渠成。
2021年11月底，據(jù)韓媒報(bào)道，東部高科將在2022年第一季度開發(fā)基于第三代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體，這是其首次進(jìn)軍功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。報(bào)道稱，東部高科彼時(shí)正在開發(fā)基于碳化硅（SiC）的6-8英寸功率半導(dǎo)體，目標(biāo)是2022年第一季度推出。
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隨后在2022年6月，東部高科再次引發(fā)外界關(guān)注。多家韓媒指出，東部高科將挑戰(zhàn)8英寸SiC晶圓代工事業(yè)。韓媒消息顯示，東部高科將在位于忠清北道Eumseong-gun，Gamgok-myeon的8英寸半導(dǎo)體工廠建造第三代功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，目標(biāo)是在2025年內(nèi)生產(chǎn)和供應(yīng)首批1200伏SiC MOSFET。
整個(gè)2022年，東部高科計(jì)劃投入更多資金，進(jìn)行8英寸晶圓設(shè)備的替換升級(jí)，目標(biāo)是將8英寸產(chǎn)能由每月13.8萬片提高到每月15萬片。
時(shí)間進(jìn)入2023年，東部高科持續(xù)投入，不僅宣布正在加大力度研發(fā)SiC功率半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品，還為此引進(jìn)了生產(chǎn)所需的核心設(shè)備。
由此可見，東部高科正聚焦功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并且在源源不斷的輸血和打磨之下，已在行業(yè)內(nèi)站穩(wěn)腳跟，產(chǎn)能可觀，為進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)打下了良好基礎(chǔ)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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