盡管目前市場(chǎng)上碳化硅（SiC）襯底供應(yīng)仍然以6英寸為主，8英寸尚未大規(guī)模普及，但國(guó)內(nèi)SiC襯底頭部廠商普遍都在積極進(jìn)軍8英寸。近日，又有一家知名廠商旗下8英寸SiC襯底項(xiàng)目迎來(lái)新進(jìn)展。
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1月30日，山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱中晶芯源）8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式備案。據(jù)悉，該項(xiàng)目于2023年6月12日落地山東濟(jì)南，計(jì)劃在2025年滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)，成立于2023年5月的中晶芯源是該項(xiàng)目的主建方。
股東信息顯示，中晶芯源由廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱南砂晶圓）全資控股，后者成立于2018年8月，從事SiC單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主。
近年來(lái)，在8英寸SiC襯底熱度持續(xù)上漲趨勢(shì)下，南砂晶圓積極投身8英寸賽道。2022年9月8日，南砂晶圓聯(lián)合山東大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴(kuò)徑制備了8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底。
據(jù)介紹，經(jīng)測(cè)試表征，上述襯底微管密度小于0.3/cm2，4H-SiC晶型比例100%，電阻率平均值22mΩ·cm，不均勻性小于4%，襯底(004)面高分辨XRD 5點(diǎn)搖擺曲線半峰寬平均值32.7弧秒，說(shuō)明襯底具有良好的結(jié)晶質(zhì)量，邊緣擴(kuò)徑區(qū)域沒(méi)有小角度晶界缺陷。
技術(shù)突破也在一定程度上助推南砂晶圓成為資本市場(chǎng)重點(diǎn)關(guān)注對(duì)象，過(guò)去兩年多時(shí)間，南砂晶圓已相繼完成5輪融資，包括今年1月剛剛完成的C輪融資，投資方包括華民基金、天堂硅谷、華訊方舟基金、揚(yáng)子江基金、魯信創(chuàng)投等機(jī)構(gòu)。
項(xiàng)目方面，南砂晶圓還在廣州南沙區(qū)布局了SiC項(xiàng)目，總投資9億元，該項(xiàng)目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬(wàn)片。
項(xiàng)目備案意味著南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目正式啟動(dòng)，隨著項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)，將有利于南砂晶圓未來(lái)在SiC襯底全面轉(zhuǎn)型8英寸后搶占先機(jī)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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