芯聯(lián)集成與蔚來簽署SiC模塊生產供貨協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 01 月 31 日 17:33 | 分類 企業(yè)

繼2023年12月意法半導體與理想汽車簽署一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議、今年1月初安森美與理想汽車續(xù)簽長期供貨協(xié)議后,SiC加速上車進程又迎來了一起合作案例。

1月30日,芯聯(lián)集成官宣與蔚來簽署了SiC模塊產品的生產供貨協(xié)議。按照雙方簽署的協(xié)議,芯聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V SiC模塊的生產供應商,該SiC模塊將用于蔚來900V高壓純電平臺。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據介紹,蔚來將在全國范圍鋪設換電站,及全面升級1200V SiC功率模塊,以滿足車主的超充快換需求,進而解決新能源汽車車主的里程焦慮和充電焦慮。

據悉,理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅逆變器中采用意法半導體的第三代1200V SiC MOSFET產品,理想汽車也將在其800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片,目的都包括實現(xiàn)快充和在一定程度上增加續(xù)航里程。

同樣是1200V SiC產品和高壓純電平臺,蔚來與芯聯(lián)集成簽約有助于在新能源汽車產品方面對標理想等競爭對手,搶占市場份額。

目前,芯聯(lián)集成在SiC產能和技術方面都有一定的實力。上個月,芯聯(lián)集成公布了“碳化硅(SiC)MOS芯片制造一期項目”環(huán)評表。資料顯示,該項目總投資9.61億元,主要從事6/8英寸SiC MOSFET芯片制造。

具體來看,該項目將建設一條月產5000片的6/8英寸兼容SiC MOSFET芯片制造生產線,先完成6英寸SiC MOSFET規(guī)?;圃旒凹夹g的持續(xù)研發(fā)和產品積累,待國內8英寸SiC襯底片和外延片具備批量供應能力后,快速切換到8英寸,建成后將形成6/8英寸SiC晶圓6萬片/年的生產規(guī)模。

1月30日,芯聯(lián)集成在2023年業(yè)績預告中表示,公司最新一代SiC MOSFET產品性能已達世界先進水平,正在建設的國內第一條8英寸SiC器件研發(fā)產線將于2024年通線,同時將與多家新能源汽車主機廠簽訂合作協(xié)議,2024年SiC業(yè)務營收預計將超過10億元。

蔚來目前則正在持續(xù)引入SiC功率模塊,上個月發(fā)布的采用蔚來自研自產1200V SiC功率模塊的行政旗艦車型ET9,成為蔚來旗下又一款搭載SiC功率模塊的車型。本次與芯聯(lián)集成簽署協(xié)議,有利于蔚來引入先進SiC技術,提升競爭力。(集邦化合物半導體Zac整理)

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