繼2023年12月意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議、今年1月初安森美與理想汽車?yán)m(xù)簽長期供貨協(xié)議后，SiC加速上車進(jìn)程又迎來了一起合作案例。
1月30日，芯聯(lián)集成官宣與蔚來簽署了SiC模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。按照雙方簽署的協(xié)議，芯聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V SiC模塊的生產(chǎn)供應(yīng)商，該SiC模塊將用于蔚來900V高壓純電平臺。
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據(jù)介紹，蔚來將在全國范圍鋪設(shè)換電站，及全面升級1200V SiC功率模塊，以滿足車主的超充快換需求，進(jìn)而解決新能源汽車車主的里程焦慮和充電焦慮。
據(jù)悉，理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導(dǎo)體的第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，理想汽車也將在其800V高壓純電車型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片，目的都包括實現(xiàn)快充和在一定程度上增加續(xù)航里程。
同樣是1200V SiC產(chǎn)品和高壓純電平臺，蔚來與芯聯(lián)集成簽約有助于在新能源汽車產(chǎn)品方面對標(biāo)理想等競爭對手，搶占市場份額。
目前，芯聯(lián)集成在SiC產(chǎn)能和技術(shù)方面都有一定的實力。上個月，芯聯(lián)集成公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期項目”環(huán)評表。資料顯示，該項目總投資9.61億元，主要從事6/8英寸SiC MOSFET芯片制造。
具體來看，該項目將建設(shè)一條月產(chǎn)5000片的6/8英寸兼容SiC MOSFET芯片制造生產(chǎn)線，先完成6英寸SiC MOSFET規(guī)?；圃旒凹夹g(shù)的持續(xù)研發(fā)和產(chǎn)品積累，待國內(nèi)8英寸SiC襯底片和外延片具備批量供應(yīng)能力后，快速切換到8英寸，建成后將形成6/8英寸SiC晶圓6萬片/年的生產(chǎn)規(guī)模。
1月30日，芯聯(lián)集成在2023年業(yè)績預(yù)告中表示，公司最新一代SiC MOSFET產(chǎn)品性能已達(dá)世界先進(jìn)水平，正在建設(shè)的國內(nèi)第一條8英寸SiC器件研發(fā)產(chǎn)線將于2024年通線，同時將與多家新能源汽車主機廠簽訂合作協(xié)議，2024年SiC業(yè)務(wù)營收預(yù)計將超過10億元。
蔚來目前則正在持續(xù)引入SiC功率模塊，上個月發(fā)布的采用蔚來自研自產(chǎn)1200V SiC功率模塊的行政旗艦車型ET9，成為蔚來旗下又一款搭載SiC功率模塊的車型。本次與芯聯(lián)集成簽署協(xié)議，有利于蔚來引入先進(jìn)SiC技術(shù)，提升競爭力。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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