近日，天岳先進碳化硅（SiC）半導體材料項目和嘉興斯達微電子有限公司（以下簡稱嘉興斯達）高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目相繼傳出利好消息。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
天岳先進將投資5億元推進SiC材料項目
3月2日，天岳先進發(fā)布公告稱，將此前公司首次發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市募資凈額32億元的部分閑置資金，在不影響募集資金投資項目建設(shè)進度的前提下，使用不超過5億元投資“碳化硅半導體材料項目”。
公告顯示，根據(jù)募集資金投資項目的資金使用計劃及項目的建設(shè)進度，公司在確保不影響募集資金投資項目建設(shè)進度的前提下，為了提高募集資金使用效率，降低公司財務(wù)成本，公司擬使用不超過人民幣5億元（含本數(shù)）的閑置募集資金暫時補充流動資金，使用期限自公司董事會審議通過之日起不超過12個月，并且公司將隨時根據(jù)募集資金投資項目的進展及需求情況及時歸還至募集資金專用賬戶。
根據(jù)2022年募投計劃，公司將于上海臨港建設(shè)SiC襯底生產(chǎn)基地，擴大公司導電型SiC單晶襯底產(chǎn)能，原計劃于2022年試生產(chǎn)、2026年達產(chǎn)，實現(xiàn)年產(chǎn)能30萬片導電型SiC襯底。
上個月，天岳先進曾表示，上海臨港新工廠已于2023年5月開始交付6英寸導電型SiC襯底，目前產(chǎn)能和產(chǎn)量均在持續(xù)爬坡中。按照目前的進展來看，天岳先進預(yù)計將提前實現(xiàn)達產(chǎn)。
在此基礎(chǔ)上，天岳先進在2023年下半年已決定通過優(yōu)化生產(chǎn)工藝、調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備等方式，將6英寸SiC襯底的生產(chǎn)規(guī)模擴大至96萬片/年，相當于產(chǎn)能比原計劃擴大220%。上海臨港工廠達產(chǎn)后，將成為天岳先進導電型SiC襯底主要生產(chǎn)基地。
此次加碼注資，天岳先進有望更加穩(wěn)健推進SiC材料項目實施。
嘉興斯達SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目預(yù)計3月正式投產(chǎn)
3月4日，浙江嘉興南湖區(qū)發(fā)布消息稱，南湖區(qū)有14個項目入選浙江省“千項萬億”工程，其中披露了嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目等3個項目將于今年投產(chǎn)。
具體來看，嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目計劃于今年3月投入使用，總投資20億元，投產(chǎn)后可實現(xiàn)36萬片功率芯片年產(chǎn)能。
資料顯示，嘉興斯達成立于2021年2月，是斯達半導體股份有限公司（以下簡稱斯達半導體）全資子公司，后者成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù)。
在SiC業(yè)務(wù)方面，斯達半導體于2021年6月募資35億元建設(shè)4個項目。其中，與SiC相關(guān)的2個項目——“SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”和“功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目”落戶浙江嘉興南湖區(qū)。
2022年6月，嘉興斯達的SiC項目入選2022年浙江省重點建設(shè)和預(yù)安排項目計劃；2023年4月，上述2個SiC項目的兩幢廠房宣布開始調(diào)試設(shè)備，其他廠房正在等待驗收。
2023年上半年，斯達半導體表示應(yīng)用于乘用車主電機控制器的SiC MOSFET模塊正在持續(xù)放量，同時公司使用自主SiC MOSFET芯片的車規(guī)級SiC MOSFET模塊在主電機控制器客戶完成驗證并小批量出貨。
隨著嘉興斯達SiC芯片項目投產(chǎn)，斯達半導體SiC業(yè)務(wù)有望獲得新的業(yè)績增量。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。