布局SiC,軍工電子龍頭出手振華科技

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 14:57 | 分類 企業(yè)

3月4日,中國振華(集團)科技股份有限公司(下文簡稱“振華科技”)在投資者關系平臺表示,“十四五”期間,公司大力發(fā)展以SiC、GaN為代表的第三代半導體。SiC方面,未來公司將具備芯片自主設計、封測能力,實現(xiàn)SiC SBD系列產(chǎn)品自制,同時開展SiC VDMOS系列產(chǎn)品的設計開發(fā)工作,形成SiC VDMOS設計能力。

據(jù)公開資料顯示,振華科技成立于1997年,前身是國家“三線”建設的軍工電子083基地,歷經(jīng)二十多年發(fā)展已經(jīng)成為國內(nèi)電子元器件行業(yè)的龍頭企業(yè)。目前公司主營業(yè)務涉及基礎元器件、混合集成電路、電子功能材料等門類。

source:振華科技

值得一提的是,振華科技既是國內(nèi)軍用電子元器件龍頭企業(yè),也是CEC旗下振華集團的唯一上市平臺。

根據(jù)振華科技2023年第三季報顯示,去年前三季度公司營收約60.29億元,同比增長5.76%;歸屬于上市公司股東的凈利潤約為20.58億元,同比增長10.45%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤約為19.98億元,同比增長9.37%。

據(jù)悉,SiC SBD憑借優(yōu)異的電氣特性,如高耐壓、低正向壓降、快速恢復時間等,可以應用于電動汽車、充電樁、光伏逆變器、高鐵和智能電網(wǎng)、工業(yè)級電源以及電源管理等領域之中,應用前景廣、需求大。

振華科技此舉有望加速國內(nèi)SiC器件應用的普及化,提升本土SiC功率器件自給率。

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