據(jù)韓媒ETnews報道，3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并將于明年初量產(chǎn)。
source：Power Cube Semi
據(jù)介紹，Power Cube Semi稱，2300V SiC MOSFET繼承了現(xiàn)有1700V SiC MOSFET的開發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗。
Power Cube Semi指出，2300V SiC MOSFET適用于需要高電壓和低功率的應(yīng)用，如輸配電。公司正就輸配電的逆變器訂單事宜與韓國電力公司（KEPCO）進行商談。
據(jù)了解，Power Cube Semi最初是一家無晶圓廠的半導(dǎo)體設(shè)計公司，專注于Si、SiC和氧化鎵（Ga2O3）功率半導(dǎo)體的研發(fā)與商業(yè)化。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源和車載充電器（OBC）等領(lǐng)域。
2021年，Power Cube Semi已經(jīng)開始生產(chǎn)6英寸1200V SiC二極管。2022年，公司通過東部高科（DB Hitech）代工生產(chǎn)了650V Super Junction（SJ） MOSFET，并成功地將這些產(chǎn)品大量供應(yīng)給了中國的一家全球性電動汽車公司。
Power Cube Semi首席執(zhí)行官 Kang Tae-young 表示：“我們將盡一切努力將其應(yīng)用于需要高電壓和低功率的應(yīng)用，而不是以簡單的開發(fā)案例結(jié)束。”（集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）
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