4月7日晚間，斯達半導體股份有限公司（以下簡稱斯達半導體）發(fā)布2023年年度報告（以下簡稱報告）。報告顯示，斯達半導體2023年實現(xiàn)營收36.63億元，同比增長35.39%；歸母凈利潤9.12億元，同比增長11.36%；歸母扣非凈利潤8.86億元，同比增長16.25%。
海外業(yè)務方面，2023年，斯達半導體子公司斯達歐洲實現(xiàn)營業(yè)收入31,089.31萬元，同比增長226.66%，連續(xù)兩年保持翻翻以上的成長；斯達歐洲以外的出口業(yè)務實現(xiàn)營業(yè)收入7,683.12萬元，同比增長70.88%。
斯達車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量
報告顯示，斯達半導體主營業(yè)務是以IGBT和SiC為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。斯達半導體長期致力于IGBT、快恢復二極管、MOSFET等功率芯片的設計和工藝及IGBT、SiC MOSFET等功率模塊的設計、制造和測試，產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)控制和電源、光伏、新能源汽車、白色家電等領域。
2023年，IGBT模塊的銷售收入占斯達半導體主營業(yè)務收入的91.55%，是其主要產(chǎn)品。去年全年，斯達半導體生產(chǎn)的應用于主電機控制器的車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量，合計配套超過200萬套新能源汽車主電機控制器，其在車用空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。
2023年，斯達半導體基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級IGBT模塊大批量裝車，同時，其基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車規(guī)級IGBT模塊新增多個800V系統(tǒng)車型的主電機控制器項目定點，將推動2024年-2030年斯達半導體新能源汽車IGBT模塊銷售增長。
2023年，斯達半導體海外新能源汽車市場取得重要進展，車規(guī)級IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開始大批量交付，同時報告期內(nèi)斯達半導體新增多個IGBT/SiC MOSFET主電機控制器項目定點，海外新能源汽車市場呈現(xiàn)快速增長趨勢。
斯達車規(guī)級SiC MOSFET模塊批量裝車
SiC業(yè)務方面，2023年，斯達半導體應用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級SiC MOSFET模塊大批量裝車應用，同時新增多個使用車規(guī)級SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機控制器項目定點，將推動其2024-2030年主控制器用車規(guī)級SiC MOSFET模塊銷售增長。2023年，斯達半導體自主的車規(guī)級SiC MOSFET芯片在公司多個車用功率模塊封裝平臺通過多家客戶整車驗證并開始批量出貨。
值得一提的是，2023年，斯達半導體和深藍汽車合資成立重慶安達半導體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車規(guī)級IGBT模塊和車規(guī)級SiC MOSFET模塊，預計2024年完成廠房建設并開始生產(chǎn)。
斯達持續(xù)加大研發(fā)和項目投入
研發(fā)方面，2023年，斯達半導體在瑞士蘇黎世設立新的研發(fā)中心，蘇黎世研發(fā)中心是斯達半導體繼紐倫堡研發(fā)中心后設立的第二個海外研發(fā)中心。斯達半導體正在加大對下一代IGBT、SiC芯片以及模塊先進封裝技術(shù)的研發(fā)力度。報告期內(nèi)，其研發(fā)投入2.87億元，同比增加52.16%。
項目方面，斯達半導體高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目募集資金承諾投資總額分別為14.77億元、5億元、7億元，2023年投入金額分別為9.89億元、2.16億元、3.47億元，累計已投金額分別為11.85億元、3.81億元、6.18億元，項目進度分別為80.26%、76.27%、88.30%。（集邦化合物半導體Zac整理）
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