4月7日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱斯達(dá)半導(dǎo)體）發(fā)布2023年年度報(bào)告（以下簡稱報(bào)告）。報(bào)告顯示，斯達(dá)半導(dǎo)體2023年實(shí)現(xiàn)營收36.63億元，同比增長35.39%；歸母凈利潤9.12億元，同比增長11.36%；歸母扣非凈利潤8.86億元，同比增長16.25%。
海外業(yè)務(wù)方面，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體子公司斯達(dá)歐洲實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入31,089.31萬元，同比增長226.66%，連續(xù)兩年保持翻翻以上的成長；斯達(dá)歐洲以外的出口業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入7,683.12萬元，同比增長70.88%。
斯達(dá)車規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量
報(bào)告顯示，斯達(dá)半導(dǎo)體主營業(yè)務(wù)是以IGBT和SiC為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。斯達(dá)半導(dǎo)體長期致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、MOSFET等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、SiC MOSFET等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測試，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制和電源、光伏、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。
2023年，IGBT模塊的銷售收入占斯達(dá)半導(dǎo)體主營業(yè)務(wù)收入的91.55%，是其主要產(chǎn)品。去年全年，斯達(dá)半導(dǎo)體生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量，合計(jì)配套超過200萬套新能源汽車主電機(jī)控制器，其在車用空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導(dǎo)體器件份額進(jìn)一步提高。
2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級(jí)IGBT模塊大批量裝車，同時(shí)，其基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車規(guī)級(jí)IGBT模塊新增多個(gè)800V系統(tǒng)車型的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，將推動(dòng)2024年-2030年斯達(dá)半導(dǎo)體新能源汽車IGBT模塊銷售增長。
2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體海外新能源汽車市場取得重要進(jìn)展，車規(guī)級(jí)IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開始大批量交付，同時(shí)報(bào)告期內(nèi)斯達(dá)半導(dǎo)體新增多個(gè)IGBT/SiC MOSFET主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，海外新能源汽車市場呈現(xiàn)快速增長趨勢。
斯達(dá)車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊批量裝車
SiC業(yè)務(wù)方面，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體應(yīng)用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊大批量裝車應(yīng)用，同時(shí)新增多個(gè)使用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，將推動(dòng)其2024-2030年主控制器用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊銷售增長。2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體自主的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片在公司多個(gè)車用功率模塊封裝平臺(tái)通過多家客戶整車驗(yàn)證并開始批量出貨。
值得一提的是，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體和深藍(lán)汽車合資成立重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車規(guī)級(jí)IGBT模塊和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊，預(yù)計(jì)2024年完成廠房建設(shè)并開始生產(chǎn)。
斯達(dá)持續(xù)加大研發(fā)和項(xiàng)目投入
研發(fā)方面，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體在瑞士蘇黎世設(shè)立新的研發(fā)中心，蘇黎世研發(fā)中心是斯達(dá)半導(dǎo)體繼紐倫堡研發(fā)中心后設(shè)立的第二個(gè)海外研發(fā)中心。斯達(dá)半導(dǎo)體正在加大對(duì)下一代IGBT、SiC芯片以及模塊先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)力度。報(bào)告期內(nèi)，其研發(fā)投入2.87億元，同比增加52.16%。
項(xiàng)目方面，斯達(dá)半導(dǎo)體高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目募集資金承諾投資總額分別為14.77億元、5億元、7億元，2023年投入金額分別為9.89億元、2.16億元、3.47億元，累計(jì)已投金額分別為11.85億元、3.81億元、6.18億元，項(xiàng)目進(jìn)度分別為80.26%、76.27%、88.30%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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