2026年2月9日，青禾晶元官網(wǎng)正式對外公布，其與西安電子科技大學(xué)聯(lián)合技術(shù)團隊在金剛石半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重大技術(shù)突破，成功開發(fā)基于常溫鍵合與H-Cut技術(shù)的金剛石薄膜高質(zhì)量轉(zhuǎn)移工藝，為金剛石半導(dǎo)體從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用掃清關(guān)鍵障礙。
金剛石被譽為“終極半導(dǎo)體材料”，憑借超高熱導(dǎo)率、極強耐壓性等優(yōu)勢，在高功率電子器件、量子傳感等領(lǐng)域具有不可替代的應(yīng)用價值，但長期以來受限于轉(zhuǎn)移工藝瓶頸，難以實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化落地。
此次聯(lián)合團隊開發(fā)的新工藝，創(chuàng)新性地將離子注入剝離與晶圓鍵合相結(jié)合，可將高質(zhì)量單晶金剛石薄膜從供體襯底完整剝離，再精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移至硅等廉價受體襯底上。
據(jù)悉，該工藝破解了傳統(tǒng)技術(shù)的多重痛點，不僅將金剛石表面粗糙度降低至0.2nm，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)方法，還將有效剝離溫度降至1000℃以下，實現(xiàn)與現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝的良好兼容，轉(zhuǎn)移面積達(dá)90%以上且能保持材料本征性能無損，同時供體襯底可重復(fù)使用，大幅降低綜合成本。
此次突破依托青禾晶元自主研發(fā)的超原子束拋光設(shè)備與常溫鍵合設(shè)備，核心技術(shù)均為自主正向研發(fā)，形成了獨特技術(shù)優(yōu)勢。該工藝的成功開發(fā)，有望以經(jīng)濟可行的方式推動金剛石半導(dǎo)體與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)工藝融合，充分發(fā)揮其散熱、耐壓的獨特優(yōu)勢。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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