據(jù)報道，長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓日前提前封頂，這標志著該項目進入投產倒計時，預計于今年6月全面封頂，明年7月投產。
source：中國光谷
長飛先進武漢基地項目位于武漢新城中心片區(qū)，由長飛先進半導體（武漢）有限公司出資建設，總投資預計超過200億元。
該項目主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產，應用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網等領域，致力于打造全智能化、世界一流的SiC器件制造標桿工廠。項目建成后，將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地。
項目由中建一局承建，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設內容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等，建設周期為578日歷天。
項目達產后，預計可年產36萬片6英寸SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，產能位居全國前列，將促進設備、材料、設計、制造、封裝、測試等產業(yè)鏈上下游通力合作，助力武漢打造國內化合物半導體產業(yè)高地。
公開資料顯示，長飛先進專注于SiC功率半導體產品研發(fā)及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發(fā)能力。、
source：長飛先進
從產能端來看，長飛先進目前可年產6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管。
從產品端來看，長飛先進可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關產品。公司擁有完全自主知識產權的1200V Gen3 SiC MOSFET設計及工藝平臺，15mΩ產品比導通電阻（Ron，sp）已達3.4mΩ·cm2，躋身國際先進水平。此外，長飛先進基于該平臺的主驅SiC MOSFET晶圓產品良率達80%。
從合作端來看，去年10月，長飛先進與奇瑞汽車攜手成立汽車芯片聯(lián)合實驗室。未來，雙方將充分發(fā)揮各自領域的技術和資源優(yōu)勢，在車規(guī)級芯片及其汽車應用技術、市場開發(fā)等領域展開廣泛合作。此外，據(jù)透露，長飛先進正在籌建SiC功率器件應用實驗室，計劃與安徽省內新能源產業(yè)深化合作，協(xié)同發(fā)展，合力打造SiC產業(yè)生態(tài)圈。（來源：中國光谷、集邦化合物半導體）
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