在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時代，半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景，正受到業(yè)界的關(guān)注。近期，山東省的濟(jì)南和臨沂兩地，在氮化鎵襯底方面取得了新進(jìn)展。
濟(jì)南：新增一個氮化鎵項目
據(jù)濟(jì)南日報消息，10月17日下午，在濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會上，山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“晶鎵半導(dǎo)體”）與濟(jì)南晶谷研究院簽約，入駐新一代半導(dǎo)體公共服務(wù)平臺項目。
source：濟(jì)南晶谷研究院
據(jù)悉，晶鎵半導(dǎo)體將依托山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室、新一代半導(dǎo)體材料研究院研發(fā)的最新GaN單晶生長與襯底加工技術(shù)成果，開展第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
資料顯示，濟(jì)南晶谷研究院是濟(jì)南市政府聯(lián)合山東大學(xué)發(fā)起成立的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，旨在面向國家所需和產(chǎn)業(yè)前沿，集科研、教育、企事業(yè)等功能于一身。該機(jī)構(gòu)總投入10億元，于2023年7月正式揭牌。
據(jù)悉，濟(jì)南晶谷研究院成立以來，先后引進(jìn)2家產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，分別為中晶芯源、晶啟光電，孵化2家小微企業(yè)，分別為山東晶鎵半導(dǎo)體和山東一芯智能科技，并成立研究院全資子公司濟(jì)南晶谷科技有限公司。
臨沂：加快氮化鎵新材料項目建設(shè)
據(jù)中交雄安建設(shè)有限公司官微披露，近日，山東臨沂市委書記任剛到高新廠房項目調(diào)研，視察了一個氮化鎵新材料項目。
資料顯示，該項目總投資5億，占地304畝，主要建設(shè)廠房（含超凈間）、行政中心、技術(shù)研發(fā)中心等，新上50條HVRE單晶生產(chǎn)線、晶片檢測線，10條晶片切割加工生產(chǎn)線，10條研磨、清洗封裝工藝設(shè)備生產(chǎn)線，10套外延片加工MOCVD設(shè)備生產(chǎn)線，10條圖形襯底制備生產(chǎn)線及配套設(shè)施。項目于今年6月開工，預(yù)計2025年12月完工。
項目建成后與北京化工大學(xué)博士團(tuán)隊合作，引進(jìn)具有獨立產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備，生產(chǎn)的2英寸、4英寸氮化鎵單晶襯底，廣泛應(yīng)用于芯片制造、通訊基站、相控雷達(dá)等領(lǐng)域，建成后將實現(xiàn)全市第三代半導(dǎo)體材料的新突破。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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