近日，晶能、三菱電機(jī)、悉智科技相繼發(fā)布了碳化硅功率器件/模塊新品，其中包括溝槽柵SiC-MOSFET。
晶能發(fā)布太乙混合功率器件，采用SiC&IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)
11月12日，據(jù)晶能微電子官微消息，由吉利汽車集團(tuán)中央研究院新能源開(kāi)發(fā)中心、技術(shù)規(guī)劃中心、電子電器中心和零部件產(chǎn)業(yè)中心攜手行業(yè)內(nèi)零部件、半導(dǎo)體企業(yè)及高校、科研院所共同舉辦的“吉利汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)”揭牌儀式于11月4日舉行。
source：晶能
揭牌儀式上，平臺(tái)發(fā)布了首期成果——太乙混合功率器件。太乙混合功率器件為平臺(tái)首期合作伙伴晶能、意法半導(dǎo)體等聯(lián)合開(kāi)發(fā)的平臺(tái)化方案，采用SiC&IGBT 并聯(lián)設(shè)計(jì)，峰值功率可拓展150-260kw，系統(tǒng)尺寸僅為A4紙大小，出流能力超過(guò)430A。
三菱電機(jī)提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品
11月12日，據(jù)三菱電機(jī)官微消息，三菱電機(jī)將于11月14日開(kāi)始提供用于電動(dòng)汽車（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車（PHEV）和其他電動(dòng)汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）裸片樣品，這是三菱電機(jī)首款標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體芯片。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù)，有助于提升逆變器性能、延長(zhǎng)續(xù)航里程和提高xEV的能源效率。
source：三菱電機(jī)
據(jù)介紹，三菱電機(jī)于1997年開(kāi)始量產(chǎn)用于xEV的功率半導(dǎo)體模塊，并已應(yīng)用于各種電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（HEV）。2024年3月，其開(kāi)始供應(yīng)J3系列xEV功率半導(dǎo)體樣品，該系列產(chǎn)品采用最新壓注模（T-PM）技術(shù)實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)，在汽車市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。
三菱電機(jī)的新型功率半導(dǎo)體芯片是一種特有的溝槽柵SiC-MOSFET，與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比，其功率損耗降低了約50%。特有的制造技術(shù)，如抑制功率損耗和導(dǎo)通電阻波動(dòng)的柵極氧化膜工藝，讓新款芯片更加耐久穩(wěn)定，有助于提高逆變器的耐用性和xEV性能。
悉智科技推出車載OCDC混合功率模塊
11月13日，據(jù)悉智科技官微消息，悉智科技近日推出自主創(chuàng)新的下一代車載OCDC混合功率模塊，實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)化Si/SiC器件導(dǎo)入。
source：悉智科技
據(jù)介紹，國(guó)內(nèi)車企關(guān)注OCDC體積，國(guó)內(nèi)OCDC目前量產(chǎn)方案中絕大部分采用立體水道器件底部散熱，包括傳統(tǒng)單管方案和鋁基板方案兩種，悉智科技推出的下一代OCDC功率模塊適用于立體水道。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。