11月18日，廣州粵升半導體設備有限公司（下文簡稱“廣州粵升”）宣布，公司已在今年9月實現(xiàn)碳化硅（SiC）外延設備的大批量出貨。
source：廣州粵升
廣州粵升表示，此批設備在第一代外延爐基礎上做了進一步優(yōu)化設計，具備生產高質量、高穩(wěn)定性的外延片生產能力。
資料顯示，廣州粵升成立于2021年，專注于碳化硅外延設備、碳化硅晶體生長設備的研發(fā)和生產。
2022年6月，廣州粵升與廣州海創(chuàng)產業(yè)技術研究院合作，成立SiC外延設備研發(fā)中心；11月，首臺SiC外延設備研發(fā)成功；2023年2月，廣州粵升開始液相法SiC單晶設備的研發(fā)；9月，該公司SiC外延設備產品裝車交付；11月，液相法SiC單晶設備批量交付；2024年9月，實現(xiàn)SiC外延設備的大批量出貨。
廣州粵升指出，公司自主研發(fā)的SiC外延設備，已在客戶端連續(xù)穩(wěn)定運行近兩年，能夠滿足厚膜以及3C晶型的外延要求。
值得一提的是，廣州粵升的母公司東莞市中科匯珠半導體，旗下產品包含:傳統(tǒng)4H-n型SiC襯底的外延片、基于液相法4H-p型SiC和3C-SiC襯底的外延片，目前產品已取得國內頭部SiC器件企業(yè)的多輪流片驗證，具備規(guī)模量產能力。（集邦化合物半導體Morty整理）
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