氧化鎵初創(chuàng)公司拓諾稀科技獲數(shù)百萬天使輪融資

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 11 月 20 日 17:30 | 分類 功率

11月14日,香港科技大學(xué)(廣州)宣布,學(xué)校孵化企業(yè)“拓諾稀科技”于近日完成天使輪融資。該輪融資數(shù)百萬元人民幣,由力合科創(chuàng)領(lǐng)投。

資料顯示,拓諾稀科技成立于2022年,公司專注于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)。

據(jù)介紹,拓諾稀科技提供的核心產(chǎn)品涵蓋高性能氧化鎵肖特基二極管(SBD)及其他新型半導(dǎo)體器件。公司采用MOCVD和mist-CVD雙重技術(shù)路線,能夠制備多種相態(tài)(β相、α相、ε相)氧化鎵薄膜,并實(shí)現(xiàn)精確的合金化與摻雜工藝。

source:香港科技大學(xué)霍英動研究院

據(jù)悉,氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料,因其超寬禁帶特性,在高壓功率電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。

目前,氧化鎵這一賽道的主要玩家主要集中在日本、中國和美國。其中,日本在氧化鎵的研究和產(chǎn)業(yè)化方面目前處于領(lǐng)先地位。目前,我國也在積極推動氧化鎵的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,以期在未來的半導(dǎo)體市場中占據(jù)一席之地。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。