12月9日，高意（Coherent）宣布，公司根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》與美國商務(wù)部簽署了一份備忘錄。后者擬投資3300萬美元，以支持Coherent現(xiàn)有70萬平方英尺的先進(jìn)制造潔凈室的現(xiàn)代化改造和位于德克薩斯州謝爾曼工廠的擴(kuò)建。
該項(xiàng)目將通過增加先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備，擴(kuò)建全球首個(gè)6英寸（150mm）InP生產(chǎn)線，以擴(kuò)大InP器件的規(guī)?；a(chǎn)。
6英寸InP晶圓（ source：Coherent）
據(jù)悉，今年3月，Coherent宣布已建立全球首個(gè)6英寸InP晶圓生產(chǎn)能力。公司分別在其德克薩斯州謝爾曼和瑞典J?rf?lla的晶圓廠建設(shè)了6英寸InP產(chǎn)能，未來將實(shí)現(xiàn)60%以上的成本降幅，賦能光通訊、數(shù)據(jù)通信收發(fā)器、AI智能互聯(lián)、消費(fèi)電子及可穿戴設(shè)備用先進(jìn)傳感、醫(yī)療與汽車、甚至往后的6G無線網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用場景。
Coherent預(yù)期在未來幾年，InP大部分生產(chǎn)將從3英寸向6英寸過渡，以充分利用大尺寸晶圓、更高產(chǎn)量及更優(yōu)性能等的優(yōu)勢，鞏固其在通信和傳感領(lǐng)域的可持續(xù)競爭力。
除了InP，Coherent今年在碳化硅（SiC）與砷化鎵（GaAs）領(lǐng)域都有不同程度進(jìn)展。
·碳化硅領(lǐng)域
2024年4月，Coherent基于CHIPS法案獲得1500萬美元的資金，用于加速下一代寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體（分別為碳化硅和單晶金剛石）的商業(yè)化。
9月26日，Coherent宣布推出其8英寸碳化硅外延片，其350微米和500微米厚度的襯底和外延晶圓目前正在出貨中。
·砷化鎵領(lǐng)域
9月27日，為簡化運(yùn)營，Coherent將其位于英國北部達(dá)勒姆郡牛頓艾克利夫（Newton Aycliffe,County Durham）的晶圓廠出售給了英國政府，售價(jià)為2000萬英鎊。
Newton Aycliffe晶圓廠主要面向通信和航空航天與國防領(lǐng)域制造III-V族化合物半導(dǎo)體射頻微電子和光電子器件，生產(chǎn)用于戰(zhàn)斗機(jī)等軍事技術(shù)的砷化鎵半導(dǎo)體。
Coherent首席執(zhí)行官Jim Anderson表示：“剝離Newton Aycliffe工廠是公司優(yōu)化投資組合和簡化運(yùn)營努力的一部分，這使我們能夠?qū)⑼顿Y和資本集中在公司最長期增長和盈利能力的領(lǐng)域?！保罨衔锇雽?dǎo)體Morty編譯）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。