6月3日，羅姆宣布開發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET。
圖片來源：羅姆半導(dǎo)體集團
新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售，通過電商平臺均可購買。
隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心的負載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互沖突的需求，一直是個難題。
在此背景下，相較傳統(tǒng)12V電源系統(tǒng)具有更高轉(zhuǎn)換效率的48V電源系統(tǒng)正在加速擴大應(yīng)用。另外，在服務(wù)器運行狀態(tài)下實現(xiàn)模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導(dǎo)通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流和過載時造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導(dǎo)通電阻，有助于降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實現(xiàn)節(jié)能。
RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。
羅姆介紹，為了兼顧服務(wù)器的穩(wěn)定運行和節(jié)能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統(tǒng)服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A、1ms時也可達50A，實現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應(yīng)對以往MOSFET難以支持的高負載應(yīng)用。
RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實現(xiàn)了更低導(dǎo)通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導(dǎo)通電阻絕大多數(shù)約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導(dǎo)通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導(dǎo)通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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