氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來重大突破。近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠#穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/6G通信、雷達(dá)、電子戰(zhàn)及電力電子等高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域的商業(yè)化進(jìn)程。
懋半導(dǎo)體.png)
圖片來源：穩(wěn)懋半導(dǎo)體
近日，穩(wěn)懋半導(dǎo)體正式推出了其基于SiC襯底的0.120.12μm柵極長度D型GaN HEMT技術(shù)，產(chǎn)品型號為NP12-1B。此項技術(shù)的推出，旨在滿足K波段至V波段頻率范圍內(nèi)的高功率應(yīng)用需求，并強(qiáng)調(diào)在通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)等領(lǐng)域提供卓越的線性度、魯棒性及高可靠性。
穩(wěn)懋半導(dǎo)體預(yù)計該技術(shù)將于2025年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)，這將顯著加速高性能射頻電路的商業(yè)化進(jìn)程。
NP12-1B工藝的成功，得益于穩(wěn)懋半導(dǎo)體在多項晶體管改進(jìn)方面的深厚積累。該工藝專為28V工作電壓設(shè)計，并宣稱在連續(xù)波（CW）高壓縮場景中仍能提供高擊穿電壓、增強(qiáng)線性度以及穩(wěn)定運(yùn)行的能力。具體而言，其核心技術(shù)優(yōu)勢體現(xiàn)在以下幾點。
NP12-1B采用了先進(jìn)的源極耦合場板設(shè)計（Source-Coupled Field Plate），確保典型的柵極-漏極擊穿電壓達(dá)到120V。這一高擊穿電壓是實現(xiàn)高功率密度輸出和保障系統(tǒng)長期可靠性的關(guān)鍵。
對于高線性度放大器而言，最大限度地減少信號失真和互調(diào)是其核心要求。在頻譜密集的現(xiàn)代通信環(huán)境中，高線性度對于保持信號完整性至關(guān)重要。NP12-1B的設(shè)計正是為了滿足這一嚴(yán)苛要求，使其成為構(gòu)建高性能、低失真射頻系統(tǒng)的理想選擇。
穩(wěn)懋半導(dǎo)體為NP12-1B配備了完整的工藝設(shè)計套件（PDK），其中包含精確的大信號和小信號模型，極大地簡化了客戶的設(shè)計流程并縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期。
該工藝還具有增強(qiáng)的防潮選項，可為塑料封裝提供出色的防潮性能，從而提升器件在不同環(huán)境條件下的耐用性和可靠性。
公開資料顯示，穩(wěn)懋半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的 GaAs 和 GaN 晶圓代工服務(wù)提供商，服務(wù)于無線、基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)市場。穩(wěn)懋半導(dǎo)體公司為其代工合作伙伴提供多樣化的產(chǎn)品組合，包括異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT)、贗晶高電子遷移率晶體管 (PSU)、氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEV)、PIN 二極管和光學(xué)器件技術(shù)解決方案，支持 50 MHz 至 170 GHz 及光波應(yīng)用領(lǐng)域的尖端產(chǎn)品。穩(wěn)懋半導(dǎo)體公司定制的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、移動基礎(chǔ)設(shè)施、3D 傳感、光通信、有線電視 (CATV)、航空航天、國防、衛(wèi)星和汽車應(yīng)用等眾多領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Emma 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。