在全球能源轉(zhuǎn)型與半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的交匯點(diǎn)上，#碳化硅 正以技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)業(yè)化落地雙輪驅(qū)動(dòng)，重塑電力電子與高端制造的競(jìng)爭(zhēng)格局。我國(guó)在SiC器件設(shè)計(jì)、模塊封裝及高端材料制備領(lǐng)域正不斷取得新突破。近期，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈再傳捷報(bào)：瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)百萬級(jí)量產(chǎn)交付，珂瑪科技超高純碳化硅套件驗(yàn)證進(jìn)展順利。
1、瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
近期，瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。
瞻芯電子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工藝平臺(tái)開發(fā)的重要產(chǎn)品系列，具有4種型號(hào)，均按汽車級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn)(AEC-Q101)設(shè)計(jì)和測(cè)試認(rèn)證，具有低損耗、高可靠、高頻開關(guān)等特點(diǎn)，其驅(qū)動(dòng)電壓推薦18V，且兼容15V。
該系列產(chǎn)品導(dǎo)通電阻(Ron)具有較低的溫升系數(shù)，能在高溫條件下，仍然保持較低的導(dǎo)通電阻，確保應(yīng)用系統(tǒng)高效運(yùn)行。其中首批量產(chǎn)的2款產(chǎn)品分別為TO247-4插件封裝（IV3Q12035T4Z）和TO263-7貼片封裝（IV3Q12035D7Z），通過了嚴(yán)格的AEC-Q101認(rèn)證，更進(jìn)一步配合多家知名光伏、充電樁客戶完成了系統(tǒng)級(jí)測(cè)試和驗(yàn)證，進(jìn)入批量交付階段。
為滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求，該系列產(chǎn)品開發(fā)了4種封裝型號(hào)，不僅具有成熟的TO247-4和TO263-7封裝，而且還有更低寄生參數(shù)的TO247-4Slim封裝，以及支持頂部散熱的TC3Pak封裝。同時(shí)，這4種封裝均有開爾文源極引腳，可解耦驅(qū)動(dòng)和功率回路，降低開關(guān)損耗 。
2、珂瑪科技多尺寸超高純碳化硅產(chǎn)品推進(jìn)中
近期，珂瑪科技在投資者互動(dòng)平臺(tái)披露多項(xiàng)業(yè)務(wù)進(jìn)展，涉及蘇州新基地、超高純碳化硅套件驗(yàn)證等內(nèi)容。
圖片來源：珂瑪科技
珂瑪科技表示位于江蘇蘇州的先進(jìn)材料生產(chǎn)基地已正式投產(chǎn)，重點(diǎn)布局陶瓷加熱器、靜電卡盤及超高純碳化硅套件等“結(jié)構(gòu)-功能”一體化模塊產(chǎn)品。該基地投產(chǎn)后，公司產(chǎn)能將顯著提升，并加速從傳統(tǒng)陶瓷結(jié)構(gòu)零部件向高附加值模塊化產(chǎn)品的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。據(jù)悉，該基地項(xiàng)目覆蓋氧化鋁、氧化鋯、碳化硅、氮化鋁、氮化硅、氧化釔和氧化鈦陶瓷等產(chǎn)品的成熟產(chǎn)線。
超高純碳化硅套件驗(yàn)證進(jìn)展方面，產(chǎn)品純度達(dá)99.99%，缺陷密度控制在≤1個(gè)/cm2，技術(shù)指標(biāo)達(dá)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。6英寸產(chǎn)品已量產(chǎn)供應(yīng)北方華創(chuàng)等客戶；8英寸產(chǎn)品客戶端驗(yàn)證基本通過，正推進(jìn)Fab端量產(chǎn)；12英寸部件（如晶舟、隔熱片）進(jìn)入設(shè)備驗(yàn)證階段。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）
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