8月18日，英諾賽科宣布其第三代(Gen3) 700V 增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列正式全面上市。
圖片來(lái)源：英諾賽科
相較Gen2.5，英諾賽科Gen3產(chǎn)品核心性能實(shí)現(xiàn)躍升，具體包括：
芯片面積縮減30%：通過(guò)先進(jìn)的工藝優(yōu)化與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，顯著提升硅片利用率，助力實(shí)現(xiàn)更高功率密度設(shè)計(jì)；
開(kāi)關(guān)性能提升20-30%，電容降低20-30%：有效降低開(kāi)關(guān)損耗與驅(qū)動(dòng)損耗，顯著提升系統(tǒng)整體效率；
熱性能優(yōu)化：在同等應(yīng)用條件下，芯片殼溫可降低3-6°C，大幅增強(qiáng)系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。
同時(shí)，全新Gen3 700V系列提供DFN5x6?(極致緊湊)、DFN8x8 (平衡性能與尺寸)、TO252?(通用性強(qiáng)，散熱佳)、SOT223 (經(jīng)典封裝)在內(nèi)的豐富標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)，可滿足多元化應(yīng)用場(chǎng)景需求。
其中，采用TO252封裝的旗艦型號(hào)INN700TK100E，其典型導(dǎo)通電阻(Ron)低至74mΩ，突破了傳統(tǒng)TO252封裝器件的性能極限，可高效支持高達(dá)500W的應(yīng)用功率等級(jí)。
此外，得益于更低的導(dǎo)通電阻(Ron)和開(kāi)關(guān)損耗，Gen3 700V系列適用于PD快充/適配器 (尤其高功率)、LED照明驅(qū)動(dòng)電源、智能家電電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、工業(yè)開(kāi)關(guān)電源(SMPS)等眾多領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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