SiC邁向800V時(shí)代,特斯拉、小鵬、理想、深藍(lán)誰是贏家?

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 08 月 21 日 13:57 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

隨著新能源汽車全面邁向800V高壓時(shí)代,作為其核心支撐技術(shù)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體,正成為決定未來市場(chǎng)勝負(fù)的關(guān)鍵戰(zhàn)場(chǎng)。在這場(chǎng)競(jìng)賽中,特斯拉、小鵬、理想等先行者早已通過自研或深度合作搶先布局。而現(xiàn)在,這場(chǎng)牌局又迎來一位剛剛“亮牌”的重量級(jí)玩家。

8月19日,長(zhǎng)安汽車旗下新能源品牌深藍(lán)汽車(Changan Deepal)宣布,其與國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭斯達(dá)半導(dǎo)體(StarPower)合資組建的重慶安達(dá)半導(dǎo)體項(xiàng)目正式投產(chǎn)。此舉不僅是深藍(lán)汽車為自身SiC供應(yīng)鏈打下的關(guān)鍵一樁,更標(biāo)志著自2021年“缺芯潮”后,主流車企為掌控核心技術(shù)、爭(zhēng)奪產(chǎn)業(yè)話語權(quán)而展開的供應(yīng)鏈深度變革,已進(jìn)入白熱化階段。

圖片來源:深藍(lán)汽車

成立合資公司,深度綁定,向產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸

最直接的模式是與半導(dǎo)體廠商成立合資公司,共同參與芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與封測(cè)環(huán)節(jié)。由長(zhǎng)安深藍(lán)與斯達(dá)半導(dǎo)體共同組建的合資企業(yè)——重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司(Chongqing Anda Semiconductor Co., Ltd.)——便是這一模式的案例。

據(jù)公開信息,該合資項(xiàng)目于2023年5月簽約落戶西部(重慶)科學(xué)城,總投資額為4億元人民幣。項(xiàng)目建設(shè)分兩期進(jìn)行,一期已于2025年6月進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段,規(guī)劃年產(chǎn)能為50萬套功率模塊;二期規(guī)劃產(chǎn)能將提升至每年180萬套。項(xiàng)目在全面達(dá)成產(chǎn)能目標(biāo)后,預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)超過10億元人民幣的年產(chǎn)值。其主要產(chǎn)品聚焦于車規(guī)級(jí)功率模塊的研發(fā)與生產(chǎn),覆蓋了主控制器所需的大功率IGBT模塊及SiC MOSFET模塊。

更為深遠(yuǎn)的是,該合資項(xiàng)目還將研發(fā)重點(diǎn)投向了下一代PCB嵌入式封裝SiC功率模塊技術(shù)。相較于傳統(tǒng)封裝,該技術(shù)將芯片直接嵌入印刷電路板(PCB),通過縮短散熱路徑和降低寄生電感,可同步實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的散熱性能與更高的開關(guān)效率,旨在從技術(shù)源頭構(gòu)建未來產(chǎn)品的核心優(yōu)勢(shì)。

此外,還有斯泰蘭蒂斯集團(tuán)(Stellantis)與鴻??萍技瘓F(tuán)(Foxconn)組建的合資企業(yè)SiliconAuto,目標(biāo)是為集團(tuán)內(nèi)部供應(yīng)超過80%的定制化芯片。而在歐洲,由臺(tái)積電(TSMC)主導(dǎo)并聯(lián)合博世、英飛凌、恩智浦等巨頭共建的德國(guó)晶圓廠,其背后同樣是歐洲汽車工業(yè)對(duì)穩(wěn)定、自主芯片供應(yīng)的迫切需求。

戰(zhàn)略合作:鎖定產(chǎn)能,共建供應(yīng)鏈韌性

作為一種更為靈活的策略,與半導(dǎo)體制造巨頭結(jié)成戰(zhàn)略同盟,深度參與其產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃,也備受大型車企青睞。例如,福特汽車與通用汽車均已成為格芯(GlobalFoundries)及德州儀器(Texas Instruments)在美國(guó)本土擴(kuò)產(chǎn)建廠項(xiàng)目的重要合作伙伴。

這種模式超越了簡(jiǎn)單的采購(gòu)協(xié)議,車企通過提供需求確定性來支持半導(dǎo)體廠商的擴(kuò)產(chǎn)決策,從而在源頭上為未來車規(guī)級(jí)芯片,特別是成熟制程芯片的供應(yīng)提供保障。

與此同時(shí),以智能電動(dòng)汽車為核心產(chǎn)品的“新勢(shì)力”及部分傳統(tǒng)車企,正大力投入核心芯片的自主研發(fā),以期在智能化競(jìng)爭(zhēng)中建立技術(shù)壁壘。蔚來汽車(NIO)自主研發(fā)的5nm車規(guī)級(jí)智能駕駛芯片“神璣NX9031”,在成功流片后已進(jìn)入實(shí)車驗(yàn)證階段,預(yù)示著其在核心硬件自研領(lǐng)域取得實(shí)質(zhì)性突破。

零跑汽車(Leapmotor)則展示了另一種自研路徑,其重點(diǎn)在于系統(tǒng)級(jí)的架構(gòu)創(chuàng)新。通過研發(fā)中央域控平臺(tái),零跑實(shí)現(xiàn)了對(duì)座艙、智駕、車身等多個(gè)功能域的高效融合控制,在系統(tǒng)層面最大限度地優(yōu)化和發(fā)掘第三方高性能芯片的潛力,同樣構(gòu)建了自身的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

技術(shù)焦點(diǎn):碳化硅(SiC)加速“上車”

在車企布局半導(dǎo)體的諸多技術(shù)中,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體是當(dāng)前的重中之重。其高壓、高效的特性完美契合了新能源汽車向800V高壓平臺(tái)演進(jìn)的趨勢(shì),成為提升電驅(qū)系統(tǒng)效率的關(guān)鍵。

正如前文所述,深藍(lán)汽車正在加速推進(jìn)碳化硅技術(shù)在旗下車型的應(yīng)用。在其推出的深藍(lán)SL03、深藍(lán)S7等量產(chǎn)車型中,已明確搭載了SiC功率模塊,有效提升了電驅(qū)系統(tǒng)效率和車輛的續(xù)航表現(xiàn)。

另外,特斯拉早在Model 3車型中便率先引入SiC逆變器,引領(lǐng)了行業(yè)潮流。小鵬汽車的G6、G9等車型均基于其800V高壓SiC平臺(tái)打造,實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的充電與能耗性能。理想汽車的首款純電車型MEGA,也全面采用了SiC技術(shù)以支持其高壓純電架構(gòu)。此外,現(xiàn)代汽車集團(tuán)的E-GMP平臺(tái),亦是全球范圍內(nèi)較早規(guī)?;瘧?yīng)用800V及SiC技術(shù)的代表。

(集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理)

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