10月28日，揚(yáng)杰科技先進(jìn)封裝項(xiàng)目（一期）開工儀式在五號廠區(qū)舉行。據(jù)介紹，項(xiàng)目占地23畝，計劃新建一棟三層混凝土框架結(jié)構(gòu)生產(chǎn)廠房，建筑面積近3.7萬平方米，核心是引進(jìn)建設(shè)國際先進(jìn)水平的封裝生產(chǎn)線。標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在突破關(guān)鍵技術(shù)瓶頸、完善“芯片設(shè)計-制造-封裝”IDM全產(chǎn)業(yè)鏈布局中邁出關(guān)鍵一步。
杰科技.jpg)
圖片來源：揚(yáng)杰科技
資料顯示，揚(yáng)杰科技是國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）。公司產(chǎn)品已覆蓋整流器件、保護(hù)器件、小信號、MOSFET、IGBT、SiC等全系列產(chǎn)品。
不久前的10月20日，揚(yáng)杰科技公布了2025年第三季度財報，報告顯示，第三季度營業(yè)收入約18.93億元，同比增長21.47%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約為3.72億元，比2024年同期增長52.40%。前三季度累計營業(yè)收入約53.48億元，比2024年同期增長20.89%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約為9.73億元，比2024年同期增長45.51%。
揚(yáng)杰科技十年碳化硅之路
作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體IDM模式的標(biāo)桿企業(yè)，揚(yáng)杰科技自2015年起深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域。近年來在碳化硅研發(fā)、產(chǎn)能及市場等方面均取得實(shí)質(zhì)性突破。
2015年揚(yáng)杰科技募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目，正式開啟在碳化硅領(lǐng)域的布局。
2023年4月，揚(yáng)杰科技與江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)簽署了《6英寸碳化硅晶圓項(xiàng)目進(jìn)園框架合同》，擬投資新建6英寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，總投資約10億元，項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，將形成6英寸SiC晶圓產(chǎn)能5000片/月。6月，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建 “東南大學(xué) — 揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行深層次合作。
2024年，揚(yáng)杰科技完成SiC晶圓廠房裝修、設(shè)備搬入并實(shí)現(xiàn)通線，采用IDM技術(shù)實(shí)現(xiàn)650?V/1200V SiC SBD從第二代升級至第四代，MOSFET從第二代升級至第三代。
同年年底，揚(yáng)杰科技投產(chǎn)兩條車規(guī)級SiC模塊封裝產(chǎn)線，已研制出車載SiC模塊樣品并獲得多家Tier?1及整車廠測試合作意向，計劃2025年實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)主驅(qū)SiC模塊批量上車。
在海外布局方面，揚(yáng)杰科技2024年還在越南設(shè)立封測子公司，提升海外交付能力，成為公司“國內(nèi)?越南雙軌”供應(yīng)鏈的重要支點(diǎn)。
今年5月，SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開工，該項(xiàng)目計劃總投資10億元，占地62畝，聚焦車規(guī)級框架式、塑封式IGBT模塊及SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，旨在通過技術(shù)突破實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，推動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展。
在此前的半年報中，揚(yáng)杰科技提到，公司將持續(xù)增加對第三代半導(dǎo)體芯片行業(yè)的投入，加大在以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市場份額持續(xù)增加，當(dāng)前各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。