進(jìn)入12月，全球碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域迎來密集技術(shù)落地，頭部企業(yè)紛紛加碼高壓、高可靠性產(chǎn)品布局。納微半導(dǎo)體與威世（Vishay）相繼發(fā)布重磅SiC新品，分別聚焦超高壓場(chǎng)景突破與中功率市場(chǎng)適配。
1、納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合
12月1日，納微半導(dǎo)體宣布，其全新3300V與 2300V超高壓（UHV）SiC產(chǎn)品已正式開始向市場(chǎng)提供樣品，覆蓋功率模塊、分立器件及裸片（KGD）等多種形態(tài)。該系列產(chǎn)品在超高壓功率電子器件領(lǐng)域樹立了全新的可靠性與性能標(biāo)桿。
納微全新3300V和2300V SiC器件基于其第四代GeneSiC?平臺(tái)研發(fā)，采用TAP（溝槽輔助平面柵技術(shù)）架構(gòu)，通過多級(jí)電場(chǎng)管理設(shè)計(jì)顯著降低電壓應(yīng)力、提升耐壓能力，相較傳統(tǒng)trench或平面型SiC MOSFET展現(xiàn)更優(yōu)的電壓特性和可靠性。
此外，納微進(jìn)一步擴(kuò)展3300V/2300V UHV SiC產(chǎn)品組合，提供靈活多樣的封裝格式，以滿足客戶端不同應(yīng)用的需求。針對(duì)高功率密度與高可靠性系統(tǒng)，推出了先進(jìn)的SiCPAK? G+功率模塊，支持半橋與全橋拓?fù)洹?/p>
據(jù)悉，SiCPAK? G+模塊采用獨(dú)特的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，相比業(yè)內(nèi)常見的硅膠灌封方案，可實(shí)現(xiàn) >60%的功率循環(huán)壽命提升，以及>10倍的熱沖擊可靠性改進(jìn)。
資料顯示，納微半導(dǎo)體成立于2014年，是全球下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，核心技術(shù)聚焦氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）寬禁帶材料，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)電子、AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等領(lǐng)域，氮化鎵芯片發(fā)貨超1.25億顆。
2、威世推出1200V SiC MOSFET功率模塊
12月4日，威世（Vishay ）正式推出兩款1200V SiC MOSFET功率模塊——VS-MPY038P120與VS-MPX075P120，兩款產(chǎn)品均基于威世新一代碳化硅技術(shù)打造，針對(duì)中高頻、高功率密度的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景進(jìn)行深度優(yōu)化，為能源、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域提供高效可靠的解決方案。
圖片來源：Vishay威世科技
其中，VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓?fù)洌瑢?dǎo)通電阻低至38mΩ，在+80℃工況下可支持35A連續(xù)漏極電流；VS-MPX075P120 則采用三相逆變器拓?fù)?，?dǎo)通電阻為75mΩ，+80℃下連續(xù)漏極電流可達(dá)18A，兩款模塊均具備 1200V耐壓值與175℃最高工作結(jié)溫，能適配復(fù)雜工況下的長期穩(wěn)定運(yùn)行。
目前，這兩款1200V SiC MOSFET功率模塊已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，客戶可申請(qǐng)樣品測(cè)試，批量供貨周期約為13周，能夠快速響應(yīng)行業(yè)對(duì)高性能碳化硅功率器件的批量需求。
資料顯示，威世是全球電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，成立于1962年，專注無源與半導(dǎo)體器件研發(fā)制造。產(chǎn)品線覆蓋電阻、電容、電感等無源元件，以及二極管、傳感器等半導(dǎo)體與光電子產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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