在新能源汽車(chē)、AI算力中心等下游場(chǎng)景需求爆發(fā)驅(qū)動(dòng)下,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)技術(shù)迭代與產(chǎn)能擴(kuò)張的雙重突破。
近日,捷捷微電、藍(lán)箭電子、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾、晶升股份、精進(jìn)電動(dòng)、時(shí)代電氣等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)企業(yè)密集披露最新進(jìn)展,涵蓋8英寸產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)、核心設(shè)備量產(chǎn)、終端產(chǎn)品出口及先進(jìn)技術(shù)定型等關(guān)鍵領(lǐng)域。
1、藍(lán)箭電子氮化鎵與碳化硅產(chǎn)品送樣,量產(chǎn)節(jié)奏待評(píng)估
1月22日,藍(lán)箭電子在互動(dòng)平臺(tái)回答投資者提問(wèn)時(shí)表示,公司的氮化鎵GaN產(chǎn)品和碳化硅Sic已成功完成了多款相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)和客戶(hù)送樣,該業(yè)務(wù)的具體推進(jìn)節(jié)奏與戰(zhàn)略規(guī)劃,將主要依據(jù)市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)、客戶(hù)反饋及后續(xù)訂單情況等因素綜合評(píng)估后確定。公司將密切關(guān)注市場(chǎng)情況,保持技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)品迭代的靈活性,以穩(wěn)健、務(wù)實(shí)的策略推動(dòng)相關(guān)業(yè)務(wù)的可持續(xù)發(fā)展。

圖片來(lái)源:互動(dòng)平臺(tái)截圖
資料顯示,藍(lán)箭電子主要從事半導(dǎo)體封裝測(cè)試業(yè)務(wù),為半導(dǎo)體行業(yè)及下游領(lǐng)域提供分立器件和集成電路產(chǎn)品。在在碳化硅與氮化鎵領(lǐng)域以封測(cè)為核心,同步推進(jìn) SiC/GaN 器件封測(cè)技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品送樣與客戶(hù)拓展。
2、捷捷微電:與高校合作研發(fā)碳化硅,產(chǎn)品未量產(chǎn)市場(chǎng)待拓展
1月20日,捷捷微電在互動(dòng)平臺(tái)稱(chēng),公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件,截至目前,公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)發(fā)明專(zhuān)利5件和實(shí)用新型專(zhuān)利6件,此外,公司還有8個(gè)發(fā)明專(zhuān)利尚在申請(qǐng)受理中。

圖片來(lái)源:互動(dòng)平臺(tái)截圖
公司目前有少量碳化硅器件的封測(cè),該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過(guò)程中,尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。公司下游客戶(hù)眾多并分散,且應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,新能源汽車(chē)、光伏及儲(chǔ)能等新能源行業(yè)市場(chǎng)空間巨大,公司重點(diǎn)拓展汽車(chē)電子、電源類(lèi)及工業(yè)類(lèi)市場(chǎng),努力提高這幾個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品占比,目前在新能源汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用的產(chǎn)品銷(xiāo)售占比正逐步提升。
資料顯示,捷捷微電1995年成立、2017年創(chuàng)業(yè)板上市,公司專(zhuān)注功率半導(dǎo)體分立器件,覆蓋芯片到器件全流程,產(chǎn)品分四大類(lèi),應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域。
3、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾碳化硅芯片晶圓工藝線(xiàn)升級(jí)為8英寸
1月20日,中瓷電子在互動(dòng)平臺(tái)回答投資者提問(wèn)時(shí)表示,子公司#國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾 碳化硅芯片晶圓工藝線(xiàn)經(jīng)過(guò)升級(jí)改造由6英寸升級(jí)為8英寸,目前已通線(xiàn),處于產(chǎn)品升級(jí)及客戶(hù)導(dǎo)入階段,今后將有效提升國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾碳化硅功率產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

圖片來(lái)源:互動(dòng)平臺(tái)截圖
中瓷電子是擁有氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用、電子陶瓷等核心業(yè)務(wù)能力的高科技企業(yè)。
此外,中瓷電子還透露,子公司博威公司正在進(jìn)行兩項(xiàng)募投項(xiàng)目,分別是氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目和通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。這些項(xiàng)目目前處于建設(shè)階段,主要服務(wù)于5G通信、微波通信和衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。公司表示,投資者可以通過(guò)其指定的信息披露平臺(tái)獲取項(xiàng)目的最新進(jìn)展。
4、晶升股份8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備業(yè)務(wù)增長(zhǎng)趨勢(shì)明確
1月19日,晶升股份在回答投資者提問(wèn)時(shí)表示,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇,目前公司業(yè)務(wù)整體情況較去年呈現(xiàn)逐步改善的態(tài)勢(shì)。碳化硅方面的新增批量需求已由6英寸轉(zhuǎn)為8英寸,8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備業(yè)務(wù)增長(zhǎng)趨勢(shì)明確,已簽訂單及意向性訂單均有增加。
同時(shí),AR眼鏡和先進(jìn)封裝中介層等其他下游新興應(yīng)用為12英寸碳化硅設(shè)備帶來(lái)了新的增量需求。另外,半導(dǎo)體硅方面推出多款產(chǎn)品,意向性訂單正與客戶(hù)緊密溝通并積極推動(dòng)中。

圖片來(lái)源:互動(dòng)平臺(tái)截圖
資料顯示,晶升股份成立于2012年,2023年科創(chuàng)板上市,專(zhuān)注半導(dǎo)體級(jí)晶體生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售,核心為半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐。
晶升股份自2017年啟動(dòng)碳化硅單晶爐研發(fā),2018年首臺(tái)產(chǎn)品交付客戶(hù),產(chǎn)品矩陣覆蓋6-12英寸,核心包括JSSD、SCET420、SCMP等系列PVT法碳化硅單晶爐及SCMP/LP系列TSSG法設(shè)備,適配導(dǎo)電型、半絕緣型襯底生長(zhǎng),8英寸SCMP系列已批量供應(yīng)三安光電、天岳先進(jìn)、比亞迪等頭部客戶(hù)。
5、精進(jìn)電動(dòng)已向歐洲批量出口碳化硅控制器
1月19日,精進(jìn)電動(dòng)在互動(dòng)平臺(tái)回答投資者提問(wèn)時(shí)表示,公司已向歐洲批量出口碳化硅控制器,用于歐洲重卡市場(chǎng)。另外公司有出口至歐洲的三合一產(chǎn)品配套客戶(hù)多個(gè)車(chē)型。為歐洲客戶(hù)開(kāi)發(fā)的乘用車(chē)緊湊型三合一電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)工作進(jìn)展順利,預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。

圖片來(lái)源:互動(dòng)平臺(tái)截圖
資料顯示,精進(jìn)電動(dòng)成立于2008年,專(zhuān)注電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售,自主掌握驅(qū)動(dòng)電機(jī)、控制器、傳動(dòng)總成及軟件控制核心技術(shù),提供“三合一”電驅(qū)動(dòng)總成等系統(tǒng)級(jí)解決方案,覆蓋乘用車(chē)、商用車(chē)及非汽車(chē)新能源領(lǐng)域。
在碳化硅領(lǐng)域,精進(jìn)電動(dòng)核心聚焦800V高壓平臺(tái)SiC控制器研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,自主掌握全棧技術(shù)并采用國(guó)產(chǎn)自主可控車(chē)規(guī)級(jí)芯片,推出功率可達(dá)300kW、最高效率99.6%的SiC控制器及集成化三合一電驅(qū)系統(tǒng)。
產(chǎn)能方面,山東菏澤基地二期年產(chǎn)30萬(wàn)臺(tái)碳化硅及硅基控制器項(xiàng)目于2025年啟動(dòng)建設(shè)并分階段投產(chǎn),2025年8月已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
6、時(shí)代電氣:當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型
1月16日,時(shí)代電氣在互動(dòng)平臺(tái)回答投資者提問(wèn)時(shí)表示,當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型,達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平,第五代SiC技術(shù)也已完成布局。
目前SiC重點(diǎn)產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiC MOSFET,1200V SBD等,1200V溝槽柵SiC MOSFET性能指標(biāo)基本對(duì)標(biāo)國(guó)際龍頭企業(yè)。
公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級(jí),適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求,可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、不間斷電源(UPS)、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運(yùn)輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

圖片來(lái)源:互動(dòng)平臺(tái)截圖
7、結(jié)語(yǔ)
此次國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾8英寸碳化硅芯片晶圓工藝線(xiàn)通線(xiàn)、晶升股份8英寸長(zhǎng)晶設(shè)備批量供應(yīng)頭部客戶(hù)、精進(jìn)電動(dòng)實(shí)現(xiàn)碳化硅控制器歐洲批量出口,以及時(shí)代電氣第四代溝槽柵產(chǎn)品完成設(shè)計(jì)定型,集中展現(xiàn)了國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從設(shè)備、芯片到終端應(yīng)用的階段性突破。
未來(lái),國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)將逐步夯實(shí)規(guī)?;?jìng)爭(zhēng)基礎(chǔ),進(jìn)一步銜接新能源汽車(chē)、通信等下游市場(chǎng)需求,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)協(xié)同升級(jí)。
(集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。
