近期，國產(chǎn)功率半導(dǎo)體“三線”齊傳捷報(bào)：株洲中車53億元8英寸SiC晶圓線正式通線，年增36萬片產(chǎn)能；寧波比亞迪24萬片SiC芯片技改項(xiàng)目通過驗(yàn)收，1200V溝槽柵MOSFET量產(chǎn)在即；東臺(tái)富樂華10億元高導(dǎo)熱陶瓷基板項(xiàng)目主體封頂，180萬片/年封裝材料產(chǎn)線落地。
中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目通線
12月26日，株洲中車舉行中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目通線儀式，標(biāo)志著國內(nèi)又一條8英寸碳化硅（SiC）功率器件晶圓線進(jìn)入量產(chǎn)階段，年產(chǎn)能新增36萬片，將顯著緩解電動(dòng)汽車、光伏逆變器、充電樁等下游市場(chǎng)對(duì)國產(chǎn)高端功率半導(dǎo)體的需求缺口。
圖片來源：湖南省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
該項(xiàng)目總投資53億元，從2025年1月全面施工，至今僅用11個(gè)月完成建設(shè)到通線，被湖南省列為2025年“十大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目”之一。其新征用地約266畝，新建生產(chǎn)調(diào)度樓、生產(chǎn)廠房、動(dòng)力廠房等建筑超8萬平方米，達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)36萬片碳化硅功率器件產(chǎn)能（8 英寸等效片）。
該項(xiàng)目重點(diǎn)突破精細(xì)光刻、溝槽刻蝕、高溫柵氧、高溫離子注入、大尺寸SiC減薄五大核心工藝技術(shù)，不僅可滿足第三代、第四代碳化硅產(chǎn)品的規(guī)?；慨a(chǎn)需求，更前瞻布局第五代、第六代技術(shù)研發(fā)，持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新。
公開資料顯示，中車時(shí)代電氣是中國中車旗下股份制企業(yè)，成立于2005年，目前已形成了“基礎(chǔ)器件+裝置與系統(tǒng)+整機(jī)與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)涉及軌道交通、新能源發(fā)電、汽車電驅(qū)等領(lǐng)域。
技術(shù)層面，公司完成第四代溝槽柵SiC MOSFET定型，11mΩ/7mΩ芯片性能指標(biāo)達(dá)到國際領(lǐng)先水平；首次實(shí)現(xiàn)車規(guī)級(jí)SiC模塊小批量交付，并突破SiC動(dòng)態(tài)特性及可靠性底層技術(shù)。
市場(chǎng)層面，宜興三期功率半導(dǎo)體基地6月底已達(dá)設(shè)計(jì)產(chǎn)能，中低壓器件出貨量居國內(nèi)新能源車主驅(qū)、光伏逆變器前列；320kW組串式光伏逆變器、2500kW液冷儲(chǔ)能變流器實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用；傳感器業(yè)務(wù)接近2023年同期水平，汽車傳感獲得多個(gè)新定點(diǎn)。
比亞迪半導(dǎo)體寧波SiC芯片項(xiàng)目通過驗(yàn)收
近期，寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司對(duì)外公示了新型功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級(jí)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收相關(guān)文件。
圖片來源：公示截圖
“新型功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級(jí)項(xiàng)目”已于2025年11月通過竣工環(huán)保驗(yàn)收。技改后寧波基地形成24萬片/年SiC等新型功率半導(dǎo)體（含TVS、SBD、PD、CMOS等）產(chǎn)能，同時(shí)保留7.8萬片IGBT+7.8萬片F(xiàn)RD作為混合產(chǎn)能，總投資7.44億元。
寧波海關(guān)披露，公司2月啟動(dòng)1200V溝槽柵SiC MOSFET晶圓保稅研發(fā)；項(xiàng)目負(fù)責(zé)人稱“研發(fā)片一旦通過檢測(cè)即可迅速轉(zhuǎn)量產(chǎn)”，配套產(chǎn)線升級(jí)完成后目標(biāo)月產(chǎn)1萬片（折合年12萬片）。這意味著寧波廠未來SiC產(chǎn)能仍有翻倍空間。
驗(yàn)收?qǐng)?bào)告列出已導(dǎo)入的干法刻蝕機(jī)、柵氧氧化爐、高溫退火爐等關(guān)鍵設(shè)備，主材為6英寸SiC晶圓，目前“主體設(shè)施和環(huán)保設(shè)施運(yùn)行穩(wěn)定”，標(biāo)志著6英寸SiC芯片進(jìn)入常態(tài)化生產(chǎn)。
綜上，寧波比亞迪半導(dǎo)體2025年已完成從“IGBT+FRD”向“SiC為主、硅基補(bǔ)充”的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)切換，24萬片/年SiC產(chǎn)能率先釋放，1200V溝槽柵MOSFET有望于2026年進(jìn)一步放量，為比亞迪全系新能源車型提供主驅(qū)逆變器核心芯片。
江蘇東臺(tái)富樂華高導(dǎo)熱陶瓷基板項(xiàng)目主體封頂
據(jù)東臺(tái)融媒、富樂華半導(dǎo)體官方消息，12月23日，江蘇富樂華半導(dǎo)體科技股份有限公司在鹽城東臺(tái)高新區(qū)投資建設(shè)的高導(dǎo)熱大功率濺射陶瓷基板項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)正式封頂。
圖片來源：富樂華半導(dǎo)體
據(jù)悉，該項(xiàng)目規(guī)劃總投資10億元，其中一期項(xiàng)目投資31833.27萬元，新增用地約80.8畝，新增建筑面積約74000平方米，一期項(xiàng)目引進(jìn)國內(nèi)外先進(jìn)的磁控濺射機(jī)、自動(dòng)敷膠機(jī)、光刻機(jī)、全自動(dòng)顯景機(jī)、電鍍銅線、電鍍鎳金線、自動(dòng)拋光機(jī)、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備、超聲掃描設(shè)備等約200臺(tái)/套，建設(shè)年產(chǎn)180萬片高導(dǎo)熱大功率濺射陶基板自動(dòng)化生產(chǎn)線。
高導(dǎo)熱大功率濺射陶瓷基板具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、高絕緣性、大電流承載能力、高附著強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)，正成為高端功率半導(dǎo)體封裝的核心材料。
項(xiàng)目全面建成后，將會(huì)大幅優(yōu)化富樂華公司在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)公司盈利能力，進(jìn)一步提高公司在激光熱沉產(chǎn)品、熱電制冷產(chǎn)品、激光雷達(dá)和光通訊等領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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