據(jù)The Business Times報道，主管能源與科技事務的新加坡人力部長陳詩龍宣布撥出6000萬新元，建立一個新的功率電子國家半導體轉化與創(chuàng)新中心，專注于發(fā)展新一代功率電子能力。
該中心將設有一條開放式創(chuàng)新的8英寸碳化硅（SiC）研發(fā)試驗線，旨在支持快速原型制作和向制造業(yè)產(chǎn)業(yè)群的無縫技術轉移。
此前，新加坡已針對氮化鎵（GaN）、先進光子學和研發(fā)制造領域建立了國家半導體轉化與創(chuàng)新中心。
此外，陳詩龍部長還宣布將進一步投資8億新元（約合6.28億美元），設立專注于半導體領域的“研究、創(chuàng)新與企業(yè)旗艦”（RIE Flagship）計劃。該計劃旨在通過攻克前沿技術瓶頸，聚焦先進封裝與先進光子學等領域，鞏固新加坡在全球半導體供應鏈中作為戰(zhàn)略研發(fā)樞紐的地位。
陳詩龍部長表示，半導體產(chǎn)業(yè)占新加坡GDP的近7%，是國家經(jīng)濟的關鍵支柱。此次撥款將由新加坡國家研究基金會（NRF）統(tǒng)籌，旨在協(xié)調公共科研力量與產(chǎn)業(yè)需求，實現(xiàn)技術的高效轉化。
（集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。